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1. (WO2013115289) 多結晶シリコンスパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/115289    国際出願番号:    PCT/JP2013/052125
国際公開日: 08.08.2013 国際出願日: 31.01.2013
予備審査請求日:    08.05.2013    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01)
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
発明者: TAKAMURA Hiroshi; (JP).
SUZUKI Ryo; (JP)
代理人: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2012-019753 01.02.2012 JP
発明の名称: (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンスパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)A polycrystalline silicon sputtering target produced by the melting method, characterized in that the number of nitride or carbide grains having a size of 100 µm or larger which are present in any cut surface of the target is less than 3 on average per 100 mm × 100 mm. Provided is a process for producing the polycrystalline silicon sputtering target, characterized by melting raw-material silicon with electron beams, pouring the molten silicon into a crucible heated to 90°C or higher to form a silicon ingot, and machining the ingot into a target. The inventors directed attention to polycrystalline silicon produced by the melting method, and the contents of silicon nitride and silicon carbide therein are reduced to obtain a good-quality polycrystalline silicon sputtering target and, simultaneously therewith, production steps therefor are devised to provide the polycrystalline silicon sputtering target having high bending strength.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation en silicium polycristallin produite par le procédé de fusion, caractérisée en ce que le nombre de grains de nitrure ou de carbure présentant une taille de 100 µm ou supérieure qui sont présents dans une quelconque surface de coupe de la cible est inférieur à 3 en moyenne par 100 mm × 100 mm. L'invention concerne un procédé de production d'une cible de pulvérisation en silicium polycristallin, caractérisé par la fusion du matériau brut de silicium à l'aide de faisceaux d'électrons, le versement du silicium fondu dans un creuset chauffé à 90°C ou plus pour former un lingot de silicium et l'usinage du lingot en une cible. L'invention concerne également le silicium polycristallin produit par le procédé de fusion, les teneurs en nitrure de silicium et en carbure de silicium y étant réduites en vue d'obtenir une cible de pulvérisation en silicium polycristallin de bonne qualité et, simultanément, les étapes de production étant conçues pour que la cible de pulvérisation en silicium polycristallin obtenue présente une résistance à la flexion élevée.
(JA)溶解法で作製した多結晶シリコンターゲットであって、該ターゲットの任意切断面において、100μm以上の大きさを有する窒化物又は炭化物の存在量が100mm×100mm当たり、平均3個未満であることを特徴とする多結晶シリコンスパッタリングターゲット。多結晶シリコンスパッタリングターゲットの製造方法であって、原料となるシリコンを電子ビームで溶解すると共に、この溶解したシリコンを90°C以上に加熱した坩堝に流し込んでシリコンインゴットを作製し、これをターゲットに機械加工することを特徴とする多結晶シリコンスパッタリングターゲットの製造方法。溶解法で作製する多結晶シリコンに着眼し、窒化ケイ素や炭化ケイ素の存在を低減して、良質な多結晶シリコンスパッタリングターゲット得ると共に、製造工程を工夫して曲げ強度の高い多結晶シリコンスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)