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1. (WO2013115275) 光電変換素子の製造方法および光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/115275    国際出願番号:    PCT/JP2013/052098
国際公開日: 08.08.2013 国際出願日: 30.01.2013
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
発明者: MIYAZAKI, Shiro; (JP).
HONJO, Tomofumi; (JP).
NIWA, Koji; (JP).
KII, Hironori; (JP).
AONO, Shigeo; (JP).
NISHIOKA, Yosuke; (JP)
優先権情報:
2012-017018 30.01.2012 JP
2012-145039 28.06.2012 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERTER AND PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE ET CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法および光電変換素子
要約: front page image
(EN)The method for producing a photoelectric converter of the present invention comprises a preparation step for preparing a substrate (2) that has a photoelectric conversion layer (2a) and is formed from silicon; a first film-formation step for the formation of a first protective film (3) by deposition of aluminum oxide on a top surface (2B) of the substrate (2) using the atom deposition method or chemical vapor deposition method in an atmosphere containing hydrogen; and a second film-formation step for forming a second protective film (4) by deposition of aluminum oxide on the first protective film (3) using sputtering after the first film-formation step. Moreover, the photoelectric converter of the present invention comprises a substrate that has a photoelectric conversion layer and is formed from silicon; a first protective film that is deposited on the substrate and is formed from aluminum oxide; and a second protective film that is deposited on the first protective film and is formed from aluminum oxide, wherein the concentration of hydrogen contained in the first protective film is higher than the concentration of hydrogen contained in the second protective film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un convertisseur photoélectrique comportant une étape de préparation consistant à préparer un substrat (2) qui est doté d'une couche (2a) de conversion photoélectrique et est formé de silicium ; une première étape de formation de film consistant à former un premier film protecteur (3) par dépôt d'oxyde d'aluminium sur une surface supérieure (2B) du substrat (2) en utilisant le procédé de dépôt atomique ou le procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous une atmosphère contenant de l'hydrogène ; et une deuxième étape de formation de film consistant à former un deuxième film protecteur (4) par dépôt d'oxyde d'aluminium sur le premier film protecteur (3) en utilisant une projection après la première étape de formation de film. De plus, le convertisseur photoélectrique selon la présente invention comporte un substrat qui est doté d'une couche de conversion photoélectrique et est formé de silicium ; un premier film protecteur qui est déposé sur le substrat et est formé d'oxyde d'aluminium ; et un deuxième film protecteur qui est déposé sur le premier film protecteur et est formé d'oxyde d'aluminium, la concentration d'hydrogène contenue dans le premier film protecteur étant supérieure à la concentration d'hydrogène contenue dans le deuxième film protecteur.
(JA) 本発明の光電変換素子の製造方法は、光電変換層2aを持つ、シリコンからなる基板2を準備する準備工程と、基板2の上面2Bに、水素を含む雰囲気中で、原子堆積法または化学気相成長法によって酸化アルミニウムを堆積して第1保護膜3を成膜する第1成膜工程と、該第1成膜工程の後、第1保護膜3上に、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを堆積して第2保護膜4を成膜する第2成膜工程とを有する。 また本発明の光電変換素子は、光電変換層を持つ、シリコンからなる基板と、該基板上に堆積された、酸化アルミニウムからなる第1保護膜と、該第1保護膜上に堆積された、酸化アルミニウムからなる第2保護膜とを有し、前記第1保護膜に含まれる水素の濃度が、前記第2保護膜に含まれる水素の濃度よりも高い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)