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1. (WO2013115256) 配線基板および配線基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/115256    国際出願番号:    PCT/JP2013/052059
国際公開日: 08.08.2013 国際出願日: 30.01.2013
IPC:
C23C 18/36 (2006.01), C23C 18/44 (2006.01), H05K 1/09 (2006.01)
出願人: TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1108560 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION GUNMA UNIVERSITY [JP/JP]; 2, Aramaki-machi 4-chome, Maebashi-shi, Gunma 3718510 (JP)
発明者: TSUCHIDA Tetsuyuki; (JP).
OKUBO Toshikazu; (JP).
SHOHJI Ikuo; (JP).
KANO Takahiro; (JP)
代理人: SUZUKI Shirou; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2012-017261 30.01.2012 JP
発明の名称: (EN) WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD
(FR) CARTE DE CÂBLAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CARTE DE CÂBLAGE
(JA) 配線基板および配線基板の製造方法
要約: front page image
(EN)A wiring board (1) is provided with: an electrode (12) that is configured of Cu or a Cu alloy; and a plating film (14) that has an electroless nickel plating layer (18) which is formed on the electrode (12) and an electroless gold plating layer (22) which is formed on the electroless nickel plating layer (18). The electroless nickel plating layer (18) is formed by co-deposition of Ni, P, Bi and S. The electroless nickel plating layer (18) has a P content of 5% by mass or more but less than 10% by mass, a Bi content of 1-1,000 ppm by mass and an S content of 1-2,000 ppm by mass. The mass ratio of the S content to the Bi content (S/Bi) is more than 1.0.
(FR)Une carte de câblage (1) est prévue avec : une électrode (12) qui est configurée de Cu ou d'un alliage de Cu ; et un film de placage (14) qui a une couche de placage de nickel autocatalytique (18) qui est formée sur l'électrode (12) et une couche de placage d'or autocatalytique (22) qui est formée sur la couche de dépôt autocatalytique de nickel (18). La couche de placage de nickel autocatalytique (18) est formée par co-dépôt de Ni, P, Bi et S. La couche de dépôt autocatalytique de nickel (18) a une teneur en P de 5% en masse ou plus mais inférieure à 10% en masse, une teneur en Bi de 1-1 000 pm en masse et une teneur en S de 1 à 2 000 ppm en masse. Le rapport de masse de la teneur en S à la teneur en Bi (S/Bi) est supérieur à 1.0.
(JA) 配線基板(1)が、CuまたはCu合金で構成される電極(12)と、前記電極(12)の上に形成された無電解ニッケルめっき層(18)と前記無電解ニッケルめっき層(18)の上に形成された無電解金めっき層(22)とを有するめっき皮膜(14)と、を備え、前記無電解ニッケルめっき層(18)は、Ni、P、Bi及びSが共析して形成され、前記無電解ニッケルめっき層(18)に含まれるPの含有量が5質量%以上10質量%未満、Biの含有量が1~1000質量ppm、Sの含有量が1~2000質量ppmであり、Biの含有量に対するSの含有量の質量比(S/Bi)が1.0よりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)