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1. (WO2013114704) 静電容量型センサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/114704    国際出願番号:    PCT/JP2012/079567
国際公開日: 08.08.2013 国際出願日: 14.11.2012
IPC:
H04R 19/04 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
出願人: OMRON CORPORATION [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP)
発明者: KASAI Takashi; (JP).
INOUE Tadashi; (JP)
代理人: NAKANO Masayoshi; Ilias Building 3F, 10-2, Nishiiwamoto-cho, Higashikujo, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018005 (JP)
優先権情報:
2012-019031 31.01.2012 JP
発明の名称: (EN) CAPACITIVE SENSOR
(FR) CAPTEUR CAPACITIF
(JA) 静電容量型センサ
要約: front page image
(EN)A diaphragm (33) is provided on the top surface of a silicon substrate (32), and on the top surface of the silicon substrate (32), a plate unit (39) made of an insulating material is provided so as to cover the diaphragm (33) separated by a gap. A fixed electrode film (40) is formed on the bottom surface of the plate unit (39) and a capacitor is configured from the diaphragm (33) and the fixed electrode film (40). In the area around the plate unit (39), the outer peripheral edge of the top surface of the silicon substrate (32) is exposed by the plate unit (39) over the entire circumference. Further, an insulating sheet (47) made of an insulating material is formed on a portion of the top surface of the silicon substrate (32) exposed by the plate unit (39), and an electrode pad (48) conducting to the diaphragm (33) and an electrode pad (49) conducting to the fixed electrode film (40) are provided on the top surface of the insulating sheet (47).
(FR)La présente invention se rapporte à un capteur capacitif comprenant : une membrane (33), qui est placée sur la surface supérieure d'un substrat de silicium (32); et un module formant plaque (39), qui est constitué d'un matériau isolant et qui est placé sur la surface supérieure du substrat de silicium (32), de sorte à recouvrir la membrane (33) avec un espace entre eux. Une couche mince d'électrode fixe (40) est formée sur la surface inférieure du module formant plaque (39) et un condensateur est configuré à partir de la membrane (33) et de la couche mince d'électrode fixe (40). Dans la zone qui entoure le module formant plaque (39), le bord périphérique extérieur de la surface supérieure du substrat de silicium (32) est exposé par le module formant plaque (39) sur la totalité de sa circonférence. Par ailleurs, une feuille isolante (47) constituée d'un matériau isolant est formée sur une partie de la surface supérieure du substrat de silicium (32) qui est exposée par le module formant plaque (39); et un plot d'électrode (48) qui conduit à la membrane (33) et un plot d'électrode (49) qui conduit à la couche mince d'électrode fixe (40) sont placés sur la surface supérieure de la feuille isolante (47).
(JA) シリコン基板32の上面にダイアフラム33を配設し、間隙を隔ててダイアフラム33を覆うようにして絶縁材料からなるプレート部39ををシリコン基板32の上面に固定する。プレート部39の下面に固定電極膜40を形成し、ダイアフラム33と固定電極膜40によってキャパシタを構成する。プレート部39の周囲の領域において、シリコン基板32の上面の外周縁を全周にわたってプレート部39から露出させる。また、シリコン基板32の上面のうち、プレート部39から露出している領域の一部に、絶縁材料からなる絶縁シート47を形成し、絶縁シート47の上面にダイアフラム33に導通した電極パッド48と、固定電極膜40に導通した電極パッド49を設けている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)