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1. (WO2013114589) 光起電力装置の製造方法および光起電力装置の製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/114589    国際出願番号:    PCT/JP2012/052276
国際公開日: 08.08.2013 国際出願日: 01.02.2012
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 21/306 (2006.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAMAMOTO, Satoshi [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAMAMOTO, Satoshi; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTROMOTIVE FORCE DEVICE AND DEVICE FOR MANUFACTURING PHOTOELECTROMOTIVE FORCE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À FORCE PHOTO-ÉLECTROMOTRICE ET DISPOSITIF POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À FORCE PHOTO-ÉLECTROMOTRICE
(JA) 光起電力装置の製造方法および光起電力装置の製造装置
要約: front page image
(EN)The present invention includes a step for diffusing an impurity element on a surface of a silicon-based substrate (11) and forming an impurity diffusion layer (15), and an etching step for removing the impurity diffusion layer in at least a portion of a first side of the silicon-based substrate, the etching step including an etching fluid supply step for supplying an etching fluid (33) for flowing from a supply position to an edge of the silicon-based substrate, and an air supply step for supplying air (34) to a second side opposite the first side of the silicon-based substrate, in the same direction as the etching fluid and in conjunction with the supplying of the etching fluid in the etching fluid supply step.
(FR)Le procédé selon l'invention comprend une étape pour diffuser un élément d'impureté sur une surface d'un substrat à base de silicium (11) et pour former une couche de diffusion d'impureté (15), et une étape de gravure pour éliminer la couche de diffusion d'impureté dans au moins une partie d'un premier côté du substrat à base de silicium, l'étape de gravure comprenant une étape de fourniture de fluide de gravure pour fournir un fluide de gravure (33) pour l'écoulement d'une position d'alimentation à un bord du substrat à base de silicium, et une étape d'alimentation en air pour fournir de l'air (34) à un second côté opposé au premier côté du substrat à base de silicium, dans la même direction que le fluide de gravure et conjointement à l'alimentation du fluide de gravure dans l'étape d'alimentation en fluide de gravure.
(JA) シリコン系基板(11)の表面に不純物元素を拡散して、不純物拡散層(15)を形成する工程と、シリコン系基板の第1面側のうち少なくとも一部において、不純物拡散層を除去するためのエッチング工程と、を含み、エッチング工程は、第1面側において、供給位置からシリコン系基板の外縁部へ流動するエッチング流体(33)を供給するエッチング流体供給工程と、エッチング流体供給工程におけるエッチング流体の供給に合わせて、シリコン系基板のうち第1面側とは反対の第2面側において、エッチング流体と同じ向きへエアー(34)を供給するエアー供給工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)