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1. (WO2013111833) 成膜装置及び成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/111833    国際出願番号:    PCT/JP2013/051502
国際公開日: 01.08.2013 国際出願日: 24.01.2013
IPC:
C23C 14/24 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: IKUTA Hiroyuki; (JP).
KUBOTA Shinji; (JP).
SEKI Nobuaki; (JP).
ISHIBASHI Kiyotaka; (JP).
MORITA Osamu; (JP)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2012-012188 24.01.2012 JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING DEVICE, AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
要約: front page image
(EN)A film forming device (10) is provided with: a vapor deposition head (16c) for spraying vapor deposition gas containing the vapor of a vapor deposition material; a treatment container (11) for defining a treatment chamber (12) housing the vapor deposition head (16c) and a substrate (S) facing the vapor deposition head; a vapor generation unit (31) for generating the vapor of a vapor deposition material (X); carrier gas transportation pipes (L12, L13) capable of being heated and for connecting the vapor generation unit (30) with the vapor deposition head (16c); a position detection sensor (28) for acquiring the relative positions of the substrate (S) and the vapor deposition head (16c); and a first MFC (41) for controlling the flow rate of the carrier gas supplied to the vapor generation unit (30) in accordance with the relative positions. DRAWING:
(FR)L'invention concerne un dispositif de formation de film (10) pourvu : d'une tête de dépôt sous vide (16c) destinée à pulvériser un gaz de dépôt sous vide contenant la vapeur d'un matériau de dépôt sous vide; d'un contenant de traitement (11) permettant de définir une chambre de traitement (12) logeant la tête de dépôt sous vide (16c) et un substrat (S) tourné vers la tête de dépôt de vapeur; d'une unité de production de vapeur (31) destinée à produire la vapeur d'un matériau de dépôt sous vide (X); de tuyaux de transport de gaz porteur (L12, L13) capables d'être chauffés et permettant de raccorder l'unité de production de vapeur (30) à la tête de dépôt sous vide (16c); d'un capteur de détection de position (28) permettant d'acquérir les positions relatives du substrat (S) et de la tête de dépôt sous vide (16c); et d'une première cellulose microcristalline (41) permettant de commander le débit du gaz porteur amené à l'unité de production de vapeur (30) conformément aux positions relatives.
(JA) 成膜装置10は、蒸着材料の蒸気を含む蒸着ガスを噴射する蒸着ヘッド16cと、蒸着ヘッドに対面する基板S及び該蒸着ヘッド16cを収容する処理室12を画成する処理容器11と、蒸着材料Xの蒸気を発生する蒸気発生部31と、蒸気発生部30を蒸着ヘッド16cに接続する加熱可能なキャリアガス輸送管L12,L13と、基板Sと蒸着ヘッド16cとの相対位置を取得する位置検出センサ28と、相対位置に応じて蒸気発生部30へ供給されるキャリアガスの流量を制御する第1MFC41と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)