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1. (WO2013111609) 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/111609    国際出願番号:    PCT/JP2013/050002
国際公開日: 01.08.2013 国際出願日: 04.01.2013
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
発明者: NAGATA Kenichi; (JP).
OTSUKI Tomio; (JP).
OKABE Takeo; (JP).
MAKINO Nobuhito; (JP).
FUKUSHIMA Atsushi; (JP)
代理人: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2012-011235 23.01.2012 JP
発明の名称: (EN) HIGH-PURITY COPPER-MANGANESE ALLOY SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION D'ALLIAGE CUIVRE-MANGANÈSE DE GRANDE PURETÉ
(JA) 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)A high-purity copper-manganese alloy sputtering target which contains 0.05 to 20wt% of Mn with the balance consisting of Cu and unavoidable impurities except additional elements, characterized by containing 0.001 to 0.06 wtppm of P and 0.005 to 5 wtppm of S and further containing Ca and Si with the total content of P, S, Ca and Si being 0.01 to 20 wtppm. Such incorporation of proper amounts of Mn, Ca, P, Si and S in copper improves the machinability necessary in a target-making step, facilitates target making (processing), improves the surface smoothness of a target, and minimizes the generation of particles in sputtering. Thus, provided is a high-purity copper-manganese alloy sputtering target which is particularly useful for improving the yield and reliability of highly miniaturized and integrated semiconductor products.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation d'alliage cuivre-manganèse de grande pureté comprenant 0,05 à 20wt% d'un Mn, mis à part des éléments additionnels, le reste consistant en un Cu et des impuretés inévitables. La cible de l'invention est caractéristique en ce qu'elle comprend P : 0,001 à 0,06wtppm, et S : 0,005 à 5wtppm, et en ce qu'elle comprend aussi un Ca et un Si, la teneur totale en P, S, Ca et Si étant de 0,01 à 20wtppm. Ainsi, du fait qu'un élément Mn ainsi que Ca, P, Si et S sont compris en quantité adéquate dans le cuivre, les propriétés de découpe nécessaires dans la phase de fabrication de la cible sont améliorées, et tout en facilitant la fabrication (usinabilité) de la cible, il est possible d'améliorer l'aspect lisse de la surface de la cible, et de limiter la génération de particules lors d'une pulvérisation. Plus précisément, l'invention fournit une cible de pulvérisation d'alliage cuivre-manganèse de grande pureté se révélant utile pour accroître le rendement et la fiabilité d'un article semi-conducteur développant une miniaturisation ainsi qu'une intégration élevée.
(JA)Mn0.05~20wt%を含有し、添加元素を除き、残部がCu及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲットはP:0.001~0.06wtppm及びS:0.005~5wtppmを含有すると共に、さらにCaとSiを含有し、P、S、Ca、Siの合計量が0.01~20wtppmであることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。このように、銅に適切な量のMn元素とCa、P、Si、Sを含有させることにより、ターゲットを制作する段階で必要とされる切削性を改善して、ターゲットの製作(加工性)を容易にすると共に、ターゲット表面の平滑性を改善し、かつスパッタリング時のパーティクルの発生を抑制することができる。特に、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)