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1. (WO2013111592) 半導体装置の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/111592    国際出願番号:    PCT/JP2013/000348
国際公開日: 01.08.2013 国際出願日: 24.01.2013
H01L 21/3205 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/16 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: ISHIZAKA, Tadahiro; (JP).
GOMI, Atsushi; (JP).
SUZUKI, Kenji; (JP).
HATANO, Tatsuo; (JP).
MIZUSAWA, Yasushi; (JP)
代理人: INOUE, Toshio; 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058 (JP)
2012-013362 25.01.2012 JP
2012-173294 03.08.2012 JP
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)[Problem] To reduce the resistance of a conduction path when forming the conduction path by embedding a copper material in a recessed part for embedding, which has been formed in an interlayer insulating film formed by an SiCOH film. [Solution] When the recessed part is formed in an SiCOH film (1) by plasma, C moves out of the film and a damage layer is formed, but if this is removed by hydrochloric acid or the like, the surface becomes hydrophobic. By supplying a boron compound gas, a silicon compound gas, or a gas containing trimethyl aluminum to this SiCOH film (1), B, Si, or Al is adsorbed on the SiCOH (1) film. These atoms bond with Ru; therefore, a Ru film (4) is easily formed on the SiCOH film. Next, the Ru film (4) is formed using, for example, Ru3(Co)12 gas and CO gas by CVD, copper (5) embedded thereafter, and an upper layer side wiring structure formed by carrying out CMP processing.
(FR)La présente invention vise à réduire de la résistance d'un chemin de conduction lors de la formation du chemin de conduction par intégration d'un matériau cuivre dans une partie renfoncée destinée à l'intégration, qui a été formée dans un film isolant intercouche formé d'un film SiCOH. A cet effet, lorsque la partie renfoncée est formée d'un film SiCOH (1) par plasma, du C sort du film et une couche de dommage est formée, mais si celui-ci est retiré par de l'acide chlorhydrique ou analogue, la surface devient hydrophobe. Par distribution d'un gaz à composé de bore, d'un gaz à composé de silicium, ou d'un gaz contenant du triméthyl aluminium vers ce film de SiCOH (1), du B, du Si, ou du Al est adsorbé sur le film de SiCOH (1). Ces atomes se lient avec du Ru ; ainsi, un film de Ru (4) est facilement formé sur le film de SiCOH. Ensuite, le film de Ru (4) est formé en utilisant, par exemple, du gaz Ru3(Co)12 et du gaz CO par dépôt chimique sous vide (CVD), le cuivre (5) étant intégré par la suite, et une structure de câblage côté couche supérieure formée par réalisation d'un traitement CMP.
(JA)【課題】SiCOH膜からなる層間絶縁膜に形成された埋め込み用の凹部に銅材を埋め込んで導電路を形成するにあたり、導電路の抵抗を低くすること。 【解決手段】SiCOH膜1にプラズマにより凹部を形成するときに膜からCが離脱してダメージ層が形成されるが、これをフッ酸などで除去すると表面が疎水性となる。このSiCOH膜1に対してホウ素化合物ガス、シリコン化合物ガスあるいはトリメチルアルミニウムを含むガスを供給することにより、B、SiあるいはAlをSiCOH膜1上に吸着させる。これら原子がRuと結合するのでSiCOH膜上へのRu膜4の形成が容易になる。次いで例えばRu(CO)12ガスとCOガスとを用いてCVDによりRu膜4を成膜し、その後銅5を埋め込み、CMP処理を行い上層側の配線構造を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)