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1. WO2013111499 - 露光光学系、露光装置および露光方法

公開番号 WO/2013/111499
公開日 01.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/083720
国際出願日 26.12.2012
IPC
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/70275
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70275Multiple projection paths, array of projection systems, microlens projection systems, tandem projection systems
G03F 7/70291
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
70291Addressable masks
出願人
  • 株式会社アドテックエンジニアリング ADTEC Engineering Co., Ltd. [JP]/[JP]
発明者
  • 小森 一樹 KOMORI, Kazuki
代理人
  • 中島 淳 NAKAJIMA, Jun
優先権情報
2012-01105023.01.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) EXPOSURE OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD
(FR) SYSTÈME OPTIQUE D'EXPOSITION, APPAREIL D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION
(JA) 露光光学系、露光装置および露光方法
要約
(EN)
Provided are an exposure apparatus and an exposure method, which suppress, by means of an aperture shape of a microlens, a side lobe in the periphery of a main beam using aperture arrays, and which perform highly fine exposure. A position of a side lobe (Bb) in the vicinity of a focal point position of a microlens (64a) is moved by providing a light blocking section (66b) on the output side of the microlens (64a). A diameter of a main beam (Ba) is approximately 4 μm or less before passing through a second aperture array (68), and the side lobe (Bb) is suppressed to approximately 1/10 in relative intensity, compared with conventional examples, within a range of a diameter of 7.2 μm with the center of the main beam (Ba) at the center. As a result of narrowing a laser beam (B) using the second aperture array (68), the laser beam (B) is formed to have a light intensity distribution wherein the side lobe (Bb) in the periphery of the main beam (Ba) can be ignored.
(FR)
L'invention concerne un appareil d'exposition et un procédé d'exposition qui, grâce à une forme d'ouverture d'une microlentille, suppriment un lobe latéral dans la périphérie d'un faisceau principal utilisant des réseaux d'ouvertures, et qui réalisent une exposition très fine. Une position d'un lobe latéral (Bb) au voisinage d'une position de point focal d'une microlentille (64a) est déplacée en réalisant une section de blocage de lumière (66b) sur le côté de sortie de la microlentille (64a). Un diamètre du faisceau principal (Ba) est approximativement de 4 µm ou moins avant de passer par un second réseau d'ouvertures (68), et le lobe latéral (Bb) est ramené à environ 1/10 d'intensité relative par rapport aux exemples conventionnels, dans les limites d'une plage d'un diamètre de 7,2 µm, le centre du faisceau principal (Ba) étant au centre. En rétrécissant un faisceau laser (B) au moyen du second réseau d'ouvertures (68), l'invention fait que le faisceau laser (B) se forme de façon à présenter une distribution des intensités de lumière dans laquelle le lobe latéral (Bb) dans la périphérie du faisceau principal (Ba) devient négligeable.
(JA)
 マイクロレンズのアパーチャ形状によって開口アレイでメインビーム周辺のサイドローブを抑制し、高精細露光を行う露光装置および露光方法を提供する。マイクロレンズ64aの射出側に遮光部66bを設けることでマイクロレンズ64aの焦点位置付近でのサイドローブBbの位置を移動させる。第2の開口アレイ68を通過する前においてはメインビームBaはφ4μm程度に収まっており、またサイドローブBbはメインビームBaの中心からφ7.2μmの範囲において、従来例に比較して相対強度で約1/10程度に抑制されている。レーザ光Bを第2の開口アレイ68で絞った結果メインビームBaの周囲におけるサイドローブBbを無視できるような光強度分布をもつレーザ光Bとすることができる。
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