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1. (WO2013111463) 半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/111463    国際出願番号:    PCT/JP2012/082099
国際公開日: 01.08.2013 国際出願日: 11.12.2012
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
発明者: ORITA, Akihiro; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
KURATA, Yasushi; (JP).
TANAKA, Tooru; (JP).
ADACHI, Shuichiro; (JP).
HAYASAKA, Tsuyoshi; (JP)
代理人: KOBAYASHI, Miki; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2012-011401 23.01.2012 JP
発明の名称: (EN) MATERIAL FOR FORMING PASSIVATION FILM FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE COMPRISING PASSIVATION FILM FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SOLAR CELL ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT
(FR) MATÉRIAU DE FORMATION D'UN FILM DE PASSIVATION POUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN FILM DE PASSIVATION POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a material for forming a passivation film for a semiconductor substrate that comprises a compound further comprising an acidic group. With this invention, a passivation film for a semiconductor substrate that has an excellent passivation effect can be formed by an easy method.
(FR)La présente invention concerne un matériau conçu pour former un film de passivation pour un substrat semi-conducteur, comprenant un composé comprenant en outre un groupe acide. L'invention permet de former par un procédé aisé un film de passivation présentant un excellent effet de passivation pour un substrat semi-conducteur.
(JA) 本発明は、酸性基を有する化合物を含む半導体基板用パッシベーション膜形成用材料を提供する。本発明によれば、簡便な手法で優れたパッシベーション効果を有する半導体基板用パッシベーション膜を形成することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)