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1. (WO2013111312) 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/111312    国際出願番号:    PCT/JP2012/051726
国際公開日: 01.08.2013 国際出願日: 26.01.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATO, Takehiko [--/JP]; (JP) (米国のみ).
HIZA, Shuichi [--/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAI, Masashi [--/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNO, Shigeru [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SATO, Takehiko; (JP).
HIZA, Shuichi; (JP).
SAKAI, Masashi; (JP).
MATSUNO, Shigeru; (JP)
代理人: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND PHOTOVOLTAIC MODULE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET MODULE PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール
要約: front page image
(EN)A photovoltaic device is formed by stacking an intrinsic oxygen-containing amorphous silicon layer, an impurity-doped conductive amorphous silicon layer, and a transparent conductive layer in this order directly on a single-crystal silicon substrate of one conductivity type. Crystal particles, the area of which in the surface direction of the single-crystal silicon substrate increases beginning at the surface of the single-crystal silicon substrate and reaching the transparent conductive layer, are scattered inside the intrinsic oxygen-containing amorphous silicon layer and the conductive amorphous silicon layer. This can obtain a photovoltaic device excellent in a photoelectric conversion efficiency.
(FR)La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque formé par empilement, dans l'ordre qui suit, d'une couche intrinsèque de silicium amorphe contenant de l'oxygène, d'une couche conductrice de silicium amorphe dopé aux impuretés, et d'une couche conductrice transparente, directement sur un substrat en silicium monocristallin d'un type de conductivité. Les particules de cristal, dont la superficie augmente dans le sens de la surface du substrat en silicium monocristallin commençant au niveau de la surface du substrat en silicium monocristallin et atteignant la couche conductrice transparente, sont dispersées à l'intérieur de la couche intrinsèque de silicium amorphe contenant de l'oxygène et de la couche conductrice de silicium amorphe. Ceci permet d'obtenir un dispositif photovoltaïque ayant un excellent rendement de conversion photoélectrique.
(JA) 一導電型の単結晶シリコン基板の直上に、真性酸素含有非晶質シリコン層と、不純物がドープされた導電性非晶質シリコン層と、透明導電層とがこの順で積層された光起電力装置であって、前記真性酸素含有非晶質シリコン層と前記導電性非晶質シリコン層との内部に、前記単結晶シリコン基板の表面を起点として前記透明導電層に達するまで前記単結晶シリコン基板の面方向における面積が大きくなる結晶粒子が点在している。これにより、光電変換効率に優れた光起電力装置が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)