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1. (WO2013111294) 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/111294    国際出願番号:    PCT/JP2012/051606
国際公開日: 01.08.2013 国際出願日: 26.01.2012
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASHIMOTO Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUNAGA Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HASHIMOTO Takayuki; (JP).
MASUNAGA Masahiro; (JP)
代理人: ISONO Michizo; c/o Isono International Patent Office, Sabo Kaikan Annex, 7-4, Hirakawa-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION APPARATUS USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE CONVERSION ÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
要約: front page image
(EN)In order to suppress a conduction loss and a recovery loss of a semiconductor device (10), the semiconductor device (10) is provided with: an n-type drift layer (11), i.e., a semiconductor substrate; a p-type region (12) and an n-type region (13), i.e., anode regions which are provided on the front surface of the semiconductor substrate; a high-concentration n-type region (15), i.e., a cathode region which is provided on the rear surface of the semiconductor substrate; and an anode electrode (1). The front surface of the semiconductor substrate is provided with a configuration wherein the p-type region (12) and the n-type region (13) are adjacent to each other, the p-type region (12) is connected to the anode electrode (1), and the n-type region (13) is connected to the anode electrode (1) via a switch (14). A control unit (40) is connected to a control terminal of the switch (14). In a state wherein a current is carried to the semiconductor device (10), a control unit (40) outputs a high-frequency pulse to the control terminal of the switch (14) to turn on/off the switch (14).
(FR)Dans le but de supprimer une perte de conduction et une perte de récupération d'un dispositif à semi-conducteur (10), le dispositif à semi-conducteur (10) comprend : une couche de dérive de type n (11), c'est-à-dire un substrat semi-conducteur ; une région de type p (12) et une région de type n (13), c'est-à-dire des régions d'anode qui sont disposées sur la surface avant du substrat semi-conducteur ; une région de type n à haute concentration (15), c'est-à-dire une région de cathode qui est disposée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur ; et une électrode d'anode (1). La surface avant du substrat semi-conducteur comprend une configuration dans laquelle la région de type p (12) et la région de type n (13) sont adjacentes l'une à l'autre, la région de type p (12) est connectée à l'électrode d'anode (1), et la région de type n (13) est connectée à l'électrode d'anode (1) par l'intermédiaire d'un commutateur (14). Une unité de commande (40) est connectée à une borne de commande du commutateur (14). Dans un état dans lequel le courant est transporté vers le dispositif à semi-conducteur (10), une unité de commande (40) délivre en sortie une impulsion haute fréquence vers la borne de commande du commutateur (14) pour activer/désactiver la commutation (14).
(JA)半導体装置(10)の導通損失とリカバリ損失とを抑制するため、半導体装置(10)は、半導体基板であるn型ドリフト層(11)と、半導体基板の表面に設けられたアノード領域であるp型領域(12)およびn型領域(13)と、半導体基板の裏面に設けられたカソード領域である高濃度n型領域(15)と、アノード電極(1)とを設けた。この半導体基板の表面には、p型領域(12)とn型領域(13)とが隣接した構成を備え、p型領域(12)はアノード電極(1)に接続され、n型領域(13)は、スイッチ(14)を介してアノード電極(1)に接続される。このスイッチ(14)の制御端子には、制御部(40)が接続されている。半導体装置(10)が導通状態に於いて、制御部(40)は、スイッチ(14)の制御端子に高周波数のパルスを出力し、スイッチ(14)をオン・オフさせる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)