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1. WO2013108770 - 研磨用組成物、その製造方法、希釈用原液、シリコン基板の製造方法、及びシリコン基板

公開番号 WO/2013/108770
公開日 25.07.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/050627
国際出願日 16.01.2013
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
B24B 37/044
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
044characterised by the composition of the lapping agent
C01B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1436
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1436Composite particles, e.g. coated particles
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
出願人
  • 株式会社 フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP]/[JP]
発明者
  • 土屋 公亮 TSUCHIYA, Kohsuke
  • 森 嘉男 MORI, Yoshio
  • ▲高▼橋 修平 TAKAHASHI, Shuhei
  • 高見 信一郎 TAKAMI, Shinichiro
代理人
  • 恩田 博宣 ONDA, Hironori
優先権情報
2012-00637216.01.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING COMPOSITION, MANUFACTURING PROCESS THEREFOR, UNDILUTED LIQUID, PROCESS FOR PRODUCING SILICON SUBSTRATE, AND SILICON SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, LIQUIDE NON DILUÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM, ET SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) 研磨用組成物、その製造方法、希釈用原液、シリコン基板の製造方法、及びシリコン基板
要約
(EN)
This polishing composition is obtained through a step of diluting an undiluted liquid which contains abrasive grains. When the mean secondary particle diameter of the abrasive grains in the undiluted liquid is referred to as "R1" and that in the polishing composition is referred to as "R2", the R2/R1 ratio is 1.2 or lower. The polishing composition is used for polishing a silicon substrate precursor for the production of a silicon substrate.
(FR)
L'invention concerne une composition de polissage obtenue par une étape de dilution d'un liquide non dilué qui contient des grains abrasifs. Lorsque le diamètre moyen de particules secondaires des grains abrasifs dans le liquide non dilué est désigné comme étant « R1 » et que celui dans la composition de polissage est désigné comme étant « R2 », le rapport R2/R1 est de 1,2 ou moins. La composition de polissage est utilisée pour polir un précurseur de substrat de silicium pour la production d'un substrat de silicium.
(JA)
 研磨用組成物は、砥粒を含有する希釈用原液を希釈する工程を経ることにより得られる。希釈用原液中での砥粒の平均二次粒子径をR1とし、研磨用組成物中での砥粒の平均二次粒子径をR2とした場合、比率R2/R1は1.2以下である。研磨用組成物は、シリコン基板を製造するべくシリコン基板原料を研磨する用途で使用される。
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