(EN) The method includes: a step of forming an MSM diode element (10a) on a substrate (100); a step of forming a resistance-change element (10b) on the MSM diode element (10a); a step of covering the sidewall of the semiconductor layer (105) of the MSM diode element (10a) and forming a first oxygen barrier layer (109a) that does not cover at least part of the sidewall of a resistance-change layer (107) of the resistance-change element (10b); and a step of oxidising the sidewall of the resistance-change layer (107) that was exposed, not being covered by the first oxygen barrier layer (109a).
(FR) L'invention concerne un procédé comprenant : une étape de formation d'un élément de diode MSM (10a) sur un substrat (100) ; une étape de formation d'un élément à changement de résistance (10b) sur l'élément de diode MSM (10a) ; une étape de recouvrement de la paroi latérale de la couche de semi-conducteur (105) de l'élément de diode MSM (10a) et la formation d'une première couche barrière à l'oxygène (109a) qui ne recouvre pas au moins une partie de la paroi latérale d'une couche à changement de résistance (107) de l'élément à changement de résistance (10b) ; et une étape d'oxydation de la paroi latérale de la couche à changement de résistance (107) qui a été exposée, n'étant pas recouverte par la première couche barrière à l'oxygène (109a).
(JA) 基板(100)上にMSMダイオード素子(10a)を形成する工程と、MSMダイオード素子(10a)上に抵抗変化素子(10b)を形成する工程と、MSMダイオード素子(10a)の半導体層(105)の側壁を被覆し、且つ、抵抗変化素子(10b)の抵抗変化層(107)の側壁の少なくとも一部を被覆しない第1の酸素バリア層(109a)を形成する工程と、第1の酸素バリア層(109a)により被覆されずに露出された抵抗変化層(107)の側壁を酸化する工程と、を含む。