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1. WO2013108593 - 抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置

公開番号 WO/2013/108593
公開日 25.07.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/000048
国際出願日 10.01.2013
予備審査請求日 27.06.2013
IPC
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 45/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 49/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49H01L27/00~H01L47/00およびH01L51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
H01L 27/1021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
102including bipolar components
1021including diodes only
H01L 27/2409
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2409comprising two-terminal selection components, e.g. diodes
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
H01L 45/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
08based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
H01L 45/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 三河 巧 MIKAWA, Takumi
  • 姫野 敦史 HIMENO, Atsushi
  • 村瀬 英昭 MURASE, Hideaki
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
優先権情報
2012-00943519.01.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE-CHANGE TYPE NON-VOLATILE STORAGE DEVICE AND RESISTANCE-CHANGE TYPE NON-VOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL DE TYPE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE, ET DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL DE TYPE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE
(JA) 抵抗変化型不揮発性記憶装置の製造方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置
要約
(EN)
The method includes: a step of forming an MSM diode element (10a) on a substrate (100); a step of forming a resistance-change element (10b) on the MSM diode element (10a); a step of covering the sidewall of the semiconductor layer (105) of the MSM diode element (10a) and forming a first oxygen barrier layer (109a) that does not cover at least part of the sidewall of a resistance-change layer (107) of the resistance-change element (10b); and a step of oxidising the sidewall of the resistance-change layer (107) that was exposed, not being covered by the first oxygen barrier layer (109a).
(FR)
L'invention concerne un procédé comprenant : une étape de formation d'un élément de diode MSM (10a) sur un substrat (100) ; une étape de formation d'un élément à changement de résistance (10b) sur l'élément de diode MSM (10a) ; une étape de recouvrement de la paroi latérale de la couche de semi-conducteur (105) de l'élément de diode MSM (10a) et la formation d'une première couche barrière à l'oxygène (109a) qui ne recouvre pas au moins une partie de la paroi latérale d'une couche à changement de résistance (107) de l'élément à changement de résistance (10b) ; et une étape d'oxydation de la paroi latérale de la couche à changement de résistance (107) qui a été exposée, n'étant pas recouverte par la première couche barrière à l'oxygène (109a).
(JA)
 基板(100)上にMSMダイオード素子(10a)を形成する工程と、MSMダイオード素子(10a)上に抵抗変化素子(10b)を形成する工程と、MSMダイオード素子(10a)の半導体層(105)の側壁を被覆し、且つ、抵抗変化素子(10b)の抵抗変化層(107)の側壁の少なくとも一部を被覆しない第1の酸素バリア層(109a)を形成する工程と、第1の酸素バリア層(109a)により被覆されずに露出された抵抗変化層(107)の側壁を酸化する工程と、を含む。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報