(EN) A semiconductor device is used in a low-power-consumption LSI, and is provided with: a first conductivity-type semiconductor substrate (10) having Ge as a main component; a pair of metal semiconductor compound layers (14) provided apart from each other in a surface portion of the substrate (10); and a gate electrode (12) provided on a region sandwiched between the metal semiconductor compound layers (14) of the substrate (10) with a gate insulating film (11) therebetween. A second conductivity-type impurity diffused region in which at least two types of impurities of a chalcogen element and a second conductivity-type impurity element are doped is formed in the vicinity of an interface between the compound layers (14) and the substrate (10). The concentration distribution of the second conductivity-type impurity in the vicinity of the interface has, in the order from the interface to the substrate (10) side, a first region in which the concentration distribution abruptly changes, a second region in which the concentration distribution gently changes, and a third region in which the concentration distribution abruptly changes.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur utilisé dans un LSI à faible consommation d'énergie, et comportant : un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité (10) ayant Ge en tant que composant principal; une paire de couches de composé semi-conducteur métallique (14) qui sont disposées de manière séparée l'une de l'autre dans une partie de surface du substrat (10); et une électrode de grille (12) disposée sur une région prise en sandwich entre les couches de composé semi-conducteur métallique (14) du substrat (10) comportant un film isolant de grille (11) entre elles. Une région de diffusion d'impuretés d'un second type de conductivité, dans laquelle au moins deux types d'impuretés d'un élément de chalcogène et d'un élément d'impureté d'un second type de conductivité sont dopés, est formée à proximité d'une interface entre les couches de composé (14) et le substrat (10). La distribution de concentration de l'impureté du second type de conductivité à proximité de l'interface comporte, dans l'ordre allant de l'interface jusqu'au côté substrat (10), une première région dans laquelle la distribution de concentration change brusquement, une deuxième région dans laquelle la distribution de concentration change modérément, et une troisième région dans laquelle la distribution de concentration change brusquement.
(JA) 低消費電力LSIに利用される半導体装置であって、Geを主成分とする第1導電型の半導体基板(10)と、基板(10)の表面部に離間して設けられた一対の金属半導体化合物層(14)と、基板(10)の金属半導体化合物層(14)により挟まれた領域上にゲート絶縁膜(11)を介して設けられたゲート電極(12)とを備えている。化合物層(14)と基板(10)との界面付近に、カルコゲン元素と、第2導電型不純物元素との少なくとも二種の不純物が導入された第2導電型の不純物拡散領域が形成されている。界面付近の第2導電型不純物の濃度分布は、界面から基板(10)側に離れる順に、急峻に変化する第1の領域と、なだらかに変化する第2の領域と、急峻に変化する第3の領域とを有する。