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1. WO2013105230 - 炭化珪素半導体薄膜の作製方法

公開番号 WO/2013/105230
公開日 18.07.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/050389
国際出願日 11.01.2012
IPC
H01L 21/208 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208液相成長を用いるもの
C30B 19/00 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19液相エピタキシャル成長
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
CPC
C30B 19/067
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
06Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
067Boots or containers
C30B 19/106
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
10Controlling or regulating
106adding crystallising material or reactants forming it in situ to the liquid
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/02625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02623Liquid deposition
02625using melted materials
出願人
  • 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山田 信吉 YAMADA, Shinkichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 山田 信吉 YAMADA, Shinkichi
代理人
  • 上代 哲司 JODAI, Tetsuji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体薄膜の作製方法
要約
(EN)
Provided is a method that is for producing an SiC semiconductor thin film and that can produce an SiC semiconductor thin film having a sufficiently uniform impurity concentration in the in-plane and film thickness directions using an MSE method. The method for producing a silicon carbide semiconductor thin film produces the silicon carbide semiconductor thin film using a metastable solvent epitaxy method. When forming a silicon melt layer between a monocrystalline silicon carbide substrate and a carbon-atom-supplying starting material, supplying carbon atoms to the melt layer from the carbon-atom-supplying starting material, and epitaxially growing a monocrystalline silicon carbide thin film on the monocrystalline silicon carbide substrate, a carbon-atom-supplying starting material containing a predetermined concentration of nitrogen is used as the carbon-atom-supplying starting material, and the monocrystalline silicon carbide thin film is epitaxially grown in an atmosphere such that the supply of nitrogen atoms is blocked.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé qui permet de produire une couche mince semi-conductrice de SiC et qui permet de produire une couche mince semi-conductrice de SiC qui est dotée d'une concentration en impuretés suffisamment uniforme dans le plan et les directions d'épaisseur de couche à l'aide d'un procédé d'épitaxie en solvant métastable. Le procédé permettant de produire une couche mince semi-conductrice de carbure de silicium produit la couche mince semi-conductrice de carbure de silicium à l'aide d'un procédé d'épitaxie en solvant métastable. Lors de la formation d'une couche de silicium fondu entre un substrat de carbure de silicium monocristallin et une matière première fournissant des atomes de carbone, qui fournit des atomes de carbone à la couche de matière fondue à partir de la matière première fournissant des atomes de carbone, et de la croissance épitaxiale d'une couche mince de carbure de silicium monocristallin sur le substrat de carbure de silicium monocristallin, une matière première fournissant des atomes de carbone qui contient une concentration prédéterminée en azote est utilisée en tant que matière première fournissant des atomes de carbone, et la couche mince de carbure de silicium monocristallin est soumise à une croissance épitaxiale dans une atmosphère telle que la fourniture d'atomes d'azote est bloquée.
(JA)
 MSE法を用いて、面内および膜厚方向の不純物濃度が充分に均一なSiC半導体薄膜を作製することができるSiC半導体薄膜の作製方法を提供する。 準安定溶媒エピタキシャル法を用いて炭化珪素半導体薄膜を作製する炭化珪素半導体薄膜の作製方法であって、単結晶炭化珪素基板と炭素原子供給原料と間に珪素の融液層を生成させ、融液層に炭素原子供給原料から炭素原子を供給して、単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長させるに際して、炭素原子供給原料として、所定濃度の窒素が含有された炭素原子供給原料を用い、窒素原子の供給が遮断された雰囲気下で単結晶炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長させる炭化珪素半導体薄膜の作製方法。
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