(EN) Provided is a method that is for producing an SiC semiconductor thin film and that can produce an SiC semiconductor thin film having a sufficiently uniform impurity concentration in the in-plane and film thickness directions using an MSE method. The method for producing a silicon carbide semiconductor thin film produces the silicon carbide semiconductor thin film using a metastable solvent epitaxy method. When forming a silicon melt layer between a monocrystalline silicon carbide substrate and a carbon-atom-supplying starting material, supplying carbon atoms to the melt layer from the carbon-atom-supplying starting material, and epitaxially growing a monocrystalline silicon carbide thin film on the monocrystalline silicon carbide substrate, a carbon-atom-supplying starting material containing a predetermined concentration of nitrogen is used as the carbon-atom-supplying starting material, and the monocrystalline silicon carbide thin film is epitaxially grown in an atmosphere such that the supply of nitrogen atoms is blocked.
(FR) La présente invention a trait à un procédé qui permet de produire une couche mince semi-conductrice de SiC et qui permet de produire une couche mince semi-conductrice de SiC qui est dotée d'une concentration en impuretés suffisamment uniforme dans le plan et les directions d'épaisseur de couche à l'aide d'un procédé d'épitaxie en solvant métastable. Le procédé permettant de produire une couche mince semi-conductrice de carbure de silicium produit la couche mince semi-conductrice de carbure de silicium à l'aide d'un procédé d'épitaxie en solvant métastable. Lors de la formation d'une couche de silicium fondu entre un substrat de carbure de silicium monocristallin et une matière première fournissant des atomes de carbone, qui fournit des atomes de carbone à la couche de matière fondue à partir de la matière première fournissant des atomes de carbone, et de la croissance épitaxiale d'une couche mince de carbure de silicium monocristallin sur le substrat de carbure de silicium monocristallin, une matière première fournissant des atomes de carbone qui contient une concentration prédéterminée en azote est utilisée en tant que matière première fournissant des atomes de carbone, et la couche mince de carbure de silicium monocristallin est soumise à une croissance épitaxiale dans une atmosphère telle que la fourniture d'atomes d'azote est bloquée.
(JA) ＭＳＥ法を用いて、面内および膜厚方向の不純物濃度が充分に均一なＳｉＣ半導体薄膜を作製することができるＳｉＣ半導体薄膜の作製方法を提供する。 準安定溶媒エピタキシャル法を用いて炭化珪素半導体薄膜を作製する炭化珪素半導体薄膜の作製方法であって、単結晶炭化珪素基板と炭素原子供給原料と間に珪素の融液層を生成させ、融液層に炭素原子供給原料から炭素原子を供給して、単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長させるに際して、炭素原子供給原料として、所定濃度の窒素が含有された炭素原子供給原料を用い、窒素原子の供給が遮断された雰囲気下で単結晶炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長させる炭化珪素半導体薄膜の作製方法。