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1. WO2013099419 - インプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールド

公開番号 WO/2013/099419
公開日 04.07.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/077878
国際出願日 29.10.2012
IPC
G11B 5/84 2006.01
G物理学
11情報記憶
B記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84記録担体の製造に特に適合する方法または装置
B29C 33/38 2006.01
B処理操作;運輸
29プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
Cプラスチックの成形または接合;他に分類されない可塑状態の材料の成形;成形品の後処理,例.補修
33型またはコア;その細部または付属装置
38材料または製造方法に特微があるもの
B29C 59/02 2006.01
B処理操作;運輸
29プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
Cプラスチックの成形または接合;他に分類されない可塑状態の材料の成形;成形品の後処理,例.補修
59表面成形,例.エンボス;そのための装置
02機械的手段,例.プレス,によるもの
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
B29C 33/38
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
33Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
38characterised by the material or the manufacturing process
B29C 33/424
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
33Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
42characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
424Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G03F 7/0002
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
G03F 7/0017
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0017for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
出願人
  • HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 佐藤 孝 SATO Takashi
  • 谷口 和丈 TANIGUCHI Kazutake
  • 岸本 秀司 KISHIMOTO Shuji
代理人
  • 阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo
優先権情報
2011-28771828.12.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMPRINTING MOLD BLANK AND IMPRINTING MOLD
(FR) ÉBAUCHE DE MOULE D'IMPRESSION ET MOULE D'IMPRESSION
(JA) インプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールド
要約
(EN)
A substrate (2) and a patterning layer (3) are provided in an imprinting mold blank (1) that is a template for an imprinting mold (5) for forming a recession/projection pattern that is formed by means of thermal imprinting on a substrate configuring a disk-shaped storage medium. The thermal expansion coefficient of the first-mentioned substrate (2) is at least 70 × 10-7/°C in a range of 80 to 350°C. Said patterning layer (3) has a lower thermal expansion coefficient than the substrate (2), and is for forming the recession/projection pattern as a layer on the substrate (2).
(FR)
Un substrat (2) et une couche de mise en motif (3) sont prévus dans une ébauche de moule d'impression (1) qui est un modèle pour un moule d'impression (5) pour former un motif de retrait/projection au moyen d'une impression thermique sur un substrat configurant un support de stockage en forme de disque. Le coefficient de dilatation thermique du premier substrat mentionné (2) est au moins de 70 × 10-7/°C dans une plage de 80 à 350°C. Ladite couche de mise en motif (3) possède un coefficient de dilatation thermique inférieur au substrat (2), et permet de former le motif de retrait/projection sous forme de couche sur le substrat (2).
(JA)
 ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールド5の基になるインプリント用モールドブランク1において、80~350℃の範囲における熱膨張係数が70×10-7/℃以上である基板2と、前記基板2よりも低い熱膨張係数を有する、前記基板2上に積層された凹凸パターンを形成するためのパターニング層3と、を備える。
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