Disclosed is a photoelectric conversion element, which is provided with: a photoelectric conversion layer (2), which is provided on a light transmitting substrate (1); a current collecting electrode (3), which is provided at least on a part of the photoelectric conversion layer (2); a counter electrode conductive layer (5), which is provided to face the light transmitting substrate (1); a catalyst layer (8), which is provided on a counter electrode conductive layer (5) surface on the light transmitting substrate (1) side; and a carrier transport material (5), which is provided between the light transmitting substrate (1) and the catalyst layer (8). The photoelectric conversion layer (2) includes a porous semiconductor layer (2a), and dye that is adsorbed on the porous semiconductor layer (2a), and a quantity of the dye adsorbed on the porous semiconductor layer (2a) is 5×10^-5 mol/cm³ or less. Also disclosed is a method for manufacturing the photoelectric conversion element.

L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique, lequel comporte : une couche de conversion photoélectrique (2), laquelle est disposée sur un substrat transmetteur de lumière (1) ; une électrode collectrice de courant (3), laquelle est disposée au moins sur une partie de la couche de conversion photoélectrique (2) ; une couche conductrice de contre-électrode (5), laquelle est disposée en face du substrat transmetteur de lumière (1) ; une couche de catalyseur (8), laquelle est disposée sur une surface de la couche conductrice de contre-électrode (5) du côté substrat transmetteur de lumière (1) ; et un matériau de transport de porteurs de charge (5), lequel est disposé entre le substrat transmetteur de lumière (1) et la couche de catalyseur (8). La couche de conversion photoélectrique (2) comprend une couche semi-conductrice poreuse (2a), et du colorant qui est adsorbé sur la couche semi-conductrice poreuse (2a), et une quantité de colorant adsorbé sur la couche semi-conductrice poreuse (2a) est inférieure ou égale à 5×10^-5 mol/cm³. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication de l'élément de conversion photoélectrique.

　透光性基板（１）上に設けられた光電変換層（２）と、光電変換層（２）の少なくとも一部に設けられた集電電極（３）と、透光性基板（１）と向かい合うようにして設けられた対極導電層（５）と、対極導電層（５）の透光性基板（１）側の表面に設けられた触媒層（８）と、透光性基板（１）と触媒層（８）との間に設けられたキャリア輸送材料（５）とを備え、光電変換層（２）は、多孔質半導体層（２ａ）と、多孔質半導体層（２ａ）に吸着された色素とを含み、多孔質半導体層（２ａ）への色素の吸着量が、５×１０^-5ｍｏｌ／ｃｍ³以下である光電変換素子とその製造方法である。