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1. WO2013094445 - 光電変換素子

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公開番号 WO/2013/094445
公開日 27.06.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/081895
国際出願日 10.12.2012
IPC
H01M 14/00 2006.1
H電気
01基本的電気素子
M化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段,例.電池
14H01M6/00~H01M12/00に分類されない電気化学的な電流または電圧の発生装置;その製造
H01L 31/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
H01G 9/2022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
9Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
20Light-sensitive devices
2022characterized by he counter electrode
H01G 9/2031
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
9Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
20Light-sensitive devices
2027comprising an oxide semiconductor electrode
2031comprising titanium oxide, e.g. TiO2
H01G 9/2059
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
9Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
20Light-sensitive devices
2059comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
H01L 51/0031
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0031Testing, e.g. accelerated lifetime tests of photoelectric devices
Y02E 10/542
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
542Dye sensitized solar cells
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 福井　篤 FUKUI, Atsushi (US)
  • 古宮　良一 KOMIYA, Ryoichi (US)
  • 山中　良亮 YAMANAKA, Ryohsuke (US)
発明者
  • 福井　篤 FUKUI, Atsushi
  • 古宮　良一 KOMIYA, Ryoichi
  • 山中　良亮 YAMANAKA, Ryohsuke
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2011-28170022.12.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
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要約
(EN) The purpose of the present invention is to increase the generated current in a photoelectric conversion element that does not use a transparent conductive film as the light-receiving surface. This photoelectric conversion element is provided with a translucent support body (1), porous semiconductor layers (2, 3) containing a photosensitizing element, a conductive layer (4), and a counter electrode (6), in that order, wherein the porous semiconductor layers (2, 3) and the conductive layer (4) contain an electrolyte, and the interface resistance Rs obtained by the AC impedance method is 0.6 Ω ⋅ cm2 or less.
(FR) L'objectif de la présente invention est d'augmenter le courant généré dans un élément de conversion photoélectrique qui n'utilise pas un film conducteur transparent en tant que surface réceptrice de lumière. Cet élément de conversion photoélectrique comprend un corps de support translucide (1), des couches semi-conductrices poreuses (2, 3) contenant un élément photosensibilisant, une couche conductrice (4), et une contre-électrode (6), dans cet ordre, les couches semi-conductrices poreuses (2, 3) et la couche conductrice (4) contenant un électrolyte, et la résistance d'interface Rs obtenue par la méthode d'impédance en courant alternatif est de 0,6 Ω ⋅ cm2 ou moins.
(JA) 　本発明は、受光面に透明導電膜を用いない光電変換素子において、発生電流の増加を図るものである。　本発明の光電変換素子は、透光性支持体（１）、光増感素子を含む多孔性半導体層（２、３）、導電層（４）、および対極（６）がこの順に設けられており、多孔性半導体層（２、３）と導電層（４）とは電解液を含み、交流インピーダンス法により得られた界面抵抗Ｒｓが０．６Ω・ｃｍ2 以下である。
関連特許文献
US20140366933
JPWO2013094445
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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