(EN) The purpose of the present invention is to increase the generated current in a photoelectric conversion element that does not use a transparent conductive film as the light-receiving surface. This photoelectric conversion element is provided with a translucent support body (1), porous semiconductor layers (2, 3) containing a photosensitizing element, a conductive layer (4), and a counter electrode (6), in that order, wherein the porous semiconductor layers (2, 3) and the conductive layer (4) contain an electrolyte, and the interface resistance Rs obtained by the AC impedance method is 0.6 Ω ⋅ cm2 or less.
(FR) L'objectif de la présente invention est d'augmenter le courant généré dans un élément de conversion photoélectrique qui n'utilise pas un film conducteur transparent en tant que surface réceptrice de lumière. Cet élément de conversion photoélectrique comprend un corps de support translucide (1), des couches semi-conductrices poreuses (2, 3) contenant un élément photosensibilisant, une couche conductrice (4), et une contre-électrode (6), dans cet ordre, les couches semi-conductrices poreuses (2, 3) et la couche conductrice (4) contenant un électrolyte, et la résistance d'interface Rs obtenue par la méthode d'impédance en courant alternatif est de 0,6 Ω ⋅ cm2 ou moins.
(JA) 本発明は、受光面に透明導電膜を用いない光電変換素子において、発生電流の増加を図るものである。 本発明の光電変換素子は、透光性支持体(1)、光増感素子を含む多孔性半導体層(2、3)、導電層(4)、および対極(6)がこの順に設けられており、多孔性半導体層(2、3)と導電層(4)とは電解液を含み、交流インピーダンス法により得られた界面抵抗Rsが0.6Ω・cm2 以下である。