(EN) An FPD (1), wherein a semiconductor polycrystalline film (2) is formed directly on a surface (5a) of a graphite support substrate (4), the surface having a surface roughness (Ra) of 0.5-1.5 μm inclusive. Consequently, crystalline nuclei which become the origins of crystalline grains that are initially formed can be easily formed on the support substrate (5) side (the surface (5a) of the support substrate (5)), and thus the crystalline grains that are initially formed can be made small without growing large. Therefore, large crystalline grains can be formed with time from the small crystalline grains that are initially formed. Moreover, since the small crystalline grains are initially formed on the support substrate (5) side, the adhesion of the semiconductor polycrystalline film (2) to the support substrate (5) side can be improved. The irregularities in the surface of the semiconductor polycrystalline film (2) can be suppressed.
(FR) L'invention concerne un FPD (1), dans lequel un film polycristallin semi-conducteur (2) est formé directement sur une surface (5a) d'un substrat de support en graphite (4), la surface ayant une rugosité de surface (Ra) de 0,5 à 1,5 µm inclus. Par conséquent, des noyaux cristallins qui deviennent les origines des grains cristallins qui sont initialement formés peuvent être facilement formés sur le côté du support de substrat (5) (la surface (5a) du substrat de support (5)), et ainsi les grains cristallins qui sont initialement formés peuvent être rendus petits sans croître de manière large. Par conséquent, de grands grains cristallins peuvent être formés au cours du temps à partir de petits grains cristallins qui sont initialement formés. De plus, étant donné que les petits grains cristallins sont initialement formés sur le côté du substrat de support (5), l'adhésion du film polycristallin semi-conducteur (2) sur le côté du substrat de support (5) peut être améliorée. Les irrégularités dans la surface du film polycristallin semi-conducteur (2) peuvent être supprimées.
(JA) ＦＰＤ（１）において、半導体多結晶膜（２）は、表面粗さＲａが０．５μｍ以上１．５μｍ以下のグラファイトの支持基板（５）の面（５ａ）に直接形成されている。これにより、初めに形成される結晶粒の元となる結晶核が支持基板（５）側（支持基板（５）の面（５ａ））に形成し易くなり、初めに形成される結晶粒が大きく成長せず、小さくすることができる。そのため、初めに形成される小さな結晶粒から時間と共に大きな結晶粒を形成することができる。また、支持基板（５）側に初めに小さな結晶粒が形成されるので、支持基板（５）側に対する半導体多結晶膜（２）の密着性を向上させることができる。また、半導体多結晶膜（２）の表面の凹凸を抑えることができる。