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1. WO2013088601 - 放射線検出器とその製造方法

公開番号 WO/2013/088601
公開日 20.06.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/005495
国際出願日 30.08.2012
IPC
G01T 1/24 2006.01
G物理学
01測定;試験
T原子核放射線またはX線の測定
1X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16放射線強度の測定
24半導体検出器をもつもの
H01L 27/144 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 31/09 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
09赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
CPC
G01T 1/244
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
24with semiconductor detectors
244Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
H01L 27/14676
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14665Imagers using a photoconductor layer
14676X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
出願人
  • 株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 徳田 敏 TOKUDA, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 貝野 正知 KAINO, Masatomo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 土岐 貴弘 DOKI, Takahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki
  • 徳田 敏 TOKUDA, Satoshi
  • 吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori
  • 貝野 正知 KAINO, Masatomo
  • 吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina
  • 土岐 貴弘 DOKI, Takahiro
代理人
  • 杉谷 勉 SUGITANI, Tsutomu
優先権情報
2011-27622916.12.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 放射線検出器とその製造方法
要約
(EN)
An FPD (1), wherein a semiconductor polycrystalline film (2) is formed directly on a surface (5a) of a graphite support substrate (4), the surface having a surface roughness (Ra) of 0.5-1.5 μm inclusive. Consequently, crystalline nuclei which become the origins of crystalline grains that are initially formed can be easily formed on the support substrate (5) side (the surface (5a) of the support substrate (5)), and thus the crystalline grains that are initially formed can be made small without growing large. Therefore, large crystalline grains can be formed with time from the small crystalline grains that are initially formed. Moreover, since the small crystalline grains are initially formed on the support substrate (5) side, the adhesion of the semiconductor polycrystalline film (2) to the support substrate (5) side can be improved. The irregularities in the surface of the semiconductor polycrystalline film (2) can be suppressed.
(FR)
L'invention concerne un FPD (1), dans lequel un film polycristallin semi-conducteur (2) est formé directement sur une surface (5a) d'un substrat de support en graphite (4), la surface ayant une rugosité de surface (Ra) de 0,5 à 1,5 µm inclus. Par conséquent, des noyaux cristallins qui deviennent les origines des grains cristallins qui sont initialement formés peuvent être facilement formés sur le côté du support de substrat (5) (la surface (5a) du substrat de support (5)), et ainsi les grains cristallins qui sont initialement formés peuvent être rendus petits sans croître de manière large. Par conséquent, de grands grains cristallins peuvent être formés au cours du temps à partir de petits grains cristallins qui sont initialement formés. De plus, étant donné que les petits grains cristallins sont initialement formés sur le côté du substrat de support (5), l'adhésion du film polycristallin semi-conducteur (2) sur le côté du substrat de support (5) peut être améliorée. Les irrégularités dans la surface du film polycristallin semi-conducteur (2) peuvent être supprimées.
(JA)
 FPD(1)において、半導体多結晶膜(2)は、表面粗さRaが0.5μm以上1.5μm以下のグラファイトの支持基板(5)の面(5a)に直接形成されている。これにより、初めに形成される結晶粒の元となる結晶核が支持基板(5)側(支持基板(5)の面(5a))に形成し易くなり、初めに形成される結晶粒が大きく成長せず、小さくすることができる。そのため、初めに形成される小さな結晶粒から時間と共に大きな結晶粒を形成することができる。また、支持基板(5)側に初めに小さな結晶粒が形成されるので、支持基板(5)側に対する半導体多結晶膜(2)の密着性を向上させることができる。また、半導体多結晶膜(2)の表面の凹凸を抑えることができる。
他の公開
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