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1. WO2013084910 - 超音波トランスデューサー

公開番号 WO/2013/084910
公開日 13.06.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/081454
国際出願日 05.12.2012
IPC
H04R 17/00 2006.01
H電気
04電気通信技術
Rスピーカ,マイクロホン,蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器;補聴器;パブリックアドレスシステム
17圧電型変換器;電わい型変換器
H01L 41/083 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
083積み重ねまたは多層構造をもつもの
CPC
B06B 1/0611
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, ; e.g.; FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
1Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
02making use of electrical energy
06operating with piezo-electric effect or with electrostriction
0607using multiple elements
0611in a pile
H01L 41/083
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
083having a stacked or multilayer structure
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 西江純一 NISHIE, Junichi
  • 近藤親史 KONDO, Chikashi
  • 太田順司 OTA, Junshi
代理人
  • 特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE
優先権情報
2011-26660906.12.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ULTRASONIC TRANSDUCER
(FR) TRANSDUCTEUR ULTRASONORE
(JA) 超音波トランスデューサー
要約
(EN)
The present invention achieves an ultrasonic transducer that has a structure suitable for use in the high-frequency band and that is highly durable. In addition, the sonic characteristics of the ultrasonic transducer are less likely to be affected by the bonding strength, contact pressure, and/or physical variation between members. The ultrasonic transducer (1A) is provided with a resin case (3) and a transducer (11). The resin case (3) has an opening (3A). The transducer (11) is provided with a matching layer (11A) and a piezoelectric element layer (11B). The piezoelectric element layer (11B) is configured so as to perform stand-alone thickness vibration, and the side surface of the piezoelectric element layer that intersects the main surface of the thickness direction faces and is in contact with the inner wall surface of the opening (3A). The matching layer (11A) is layered in the thickness direction of the piezoelectric element layer (11B), and the side surfaces that protrude from the opening (3A) in the thickness direction of the piezoelectric element layer (11B) and intersect the main surface of the thickness direction are free from the inner wall surface of the opening (3A).
(FR)
La présente invention porte sur un transducteur ultrasonore qui a une structure appropriée pour une utilisation dans la bande haute fréquence et qui est hautement durable. De plus, les caractéristiques sonores du transducteur ultrasonore sont moins susceptibles d'être affectées par l'intensité de liaison, la pression de contact et/ou la variation physique entre des éléments. Le transducteur ultrasonore (1A) comporte un boîtier de résine (3) et un transducteur (11). Le boîtier de résine (3) a une ouverture (3A). Le transducteur (11) comporte une couche d'ajustement (11A) et une couche d'élément piézoélectrique (11B). La couche d'élément piézoélectrique (11B) est configurée de manière à réaliser une variation d'épaisseur autonome, et la surface latérale de la couche d'élément piézoélectrique qui coupe la surface principale de la direction d'épaisseur est tournée vers et est en contact avec la surface de paroi intérieure de l'ouverture (3A). La couche d'ajustement (11A) est stratifiée dans la direction d'épaisseur de la couche d'élément piézoélectrique (11B), et les surfaces latérales qui font saillie depuis l'ouverture (3A) dans la direction d'épaisseur de la couche d'élément piézoélectrique (11B) et coupent la surface principale de la direction d'épaisseur sont libres depuis la surface de paroi intérieure de l'ouverture (3A).
(JA)
 高周波帯域での使用に適した構造であり、耐久性能が高く、また、各部材間の接合強度や接触圧、物性ばらつきによる影響を音波特性が受けにくい、超音波トランスデューサーを実現する。超音波トランスデューサー(1A)は、樹脂ケース(3)と振動子(11)とを備えている。樹脂ケース(3)は、開口部(3A)を有している。振動子(11)は、整合層(11A)と圧電素子層(11B)とを備えている。圧電素子層(11B)は、単体で厚み振動するように構成されていて、厚み方向の主面に交差する側面が開口部(3A)の内壁面に対向して接する。整合層(11A)は、圧電素子層(11B)の厚み方向に積層されていて、圧電素子層(11B)の厚み方向に開口部(3A)から露出し、厚み方向の主面に交差する側面が、開口部(3A)の内壁面から開放されている。
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