The present invention achieves an ultrasonic transducer that has a structure suitable for use in the high-frequency band and that is highly durable. In addition, the sonic characteristics of the ultrasonic transducer are less likely to be affected by the bonding strength, contact pressure, and/or physical variation between members. The ultrasonic transducer (1A) is provided with a resin case (3) and a transducer (11). The resin case (3) has an opening (3A). The transducer (11) is provided with a matching layer (11A) and a piezoelectric element layer (11B). The piezoelectric element layer (11B) is configured so as to perform stand-alone thickness vibration, and the side surface of the piezoelectric element layer that intersects the main surface of the thickness direction faces and is in contact with the inner wall surface of the opening (3A). The matching layer (11A) is layered in the thickness direction of the piezoelectric element layer (11B), and the side surfaces that protrude from the opening (3A) in the thickness direction of the piezoelectric element layer (11B) and intersect the main surface of the thickness direction are free from the inner wall surface of the opening (3A).

La présente invention porte sur un transducteur ultrasonore qui a une structure appropriée pour une utilisation dans la bande haute fréquence et qui est hautement durable. De plus, les caractéristiques sonores du transducteur ultrasonore sont moins susceptibles d'être affectées par l'intensité de liaison, la pression de contact et/ou la variation physique entre des éléments. Le transducteur ultrasonore (1A) comporte un boîtier de résine (3) et un transducteur (11). Le boîtier de résine (3) a une ouverture (3A). Le transducteur (11) comporte une couche d'ajustement (11A) et une couche d'élément piézoélectrique (11B). La couche d'élément piézoélectrique (11B) est configurée de manière à réaliser une variation d'épaisseur autonome, et la surface latérale de la couche d'élément piézoélectrique qui coupe la surface principale de la direction d'épaisseur est tournée vers et est en contact avec la surface de paroi intérieure de l'ouverture (3A). La couche d'ajustement (11A) est stratifiée dans la direction d'épaisseur de la couche d'élément piézoélectrique (11B), et les surfaces latérales qui font saillie depuis l'ouverture (3A) dans la direction d'épaisseur de la couche d'élément piézoélectrique (11B) et coupent la surface principale de la direction d'épaisseur sont libres depuis la surface de paroi intérieure de l'ouverture (3A).

　高周波帯域での使用に適した構造であり、耐久性能が高く、また、各部材間の接合強度や接触圧、物性ばらつきによる影響を音波特性が受けにくい、超音波トランスデューサーを実現する。超音波トランスデューサー（１Ａ）は、樹脂ケース（３）と振動子（１１）とを備えている。樹脂ケース（３）は、開口部（３Ａ）を有している。振動子（１１）は、整合層（１１Ａ）と圧電素子層（１１Ｂ）とを備えている。圧電素子層（１１Ｂ）は、単体で厚み振動するように構成されていて、厚み方向の主面に交差する側面が開口部（３Ａ）の内壁面に対向して接する。整合層（１１Ａ）は、圧電素子層（１１Ｂ）の厚み方向に積層されていて、圧電素子層（１１Ｂ）の厚み方向に開口部（３Ａ）から露出し、厚み方向の主面に交差する側面が、開口部（３Ａ）の内壁面から開放されている。