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1. WO2013080516 - 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法

公開番号 WO/2013/080516
公開日 06.06.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/007581
国際出願日 27.11.2012
IPC
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G02F 1/1345 2006.1
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333構造配置
1345電極をセル端子に接続する導体
G02F 1/1368 2006.1
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G09F 9/00 2006.1
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G09F 9/30 2006.1
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
CPC
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 29/41733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41733for thin film transistors with insulated gate
H01L 29/7869
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
7869having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
H01L 29/78696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78696characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 冨田 雅裕 TOMIDA, Masahiro (US)
  • 北角 英人 KITAKADO, Hidehito (US)
発明者
  • 冨田 雅裕 TOMIDA, Masahiro
  • 北角 英人 KITAKADO, Hidehito
代理人
  • 特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
優先権情報
2011-26465602.12.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS PROVIDED WITH SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, APPAREIL D'AFFICHAGE ÉQUIPÉ DE CELUI-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法
要約
(EN) A TFT (20A) for a pixel has a characteristic of having a relatively low threshold voltage with an oxide semiconductor layer (23a) entirely covered in the channel width direction (Dcw) with a source electrode (25a) and a drain electrode (26a). A TFT (20B) for a drive circuit has a characteristic of having a relatively high threshold voltage with an oxide semiconductor layer (23b) protruding to the outer side in the channel width direction (Dcw) from the source electrode (25b) and the drain electrode (26b).
(FR) La présente invention a trait à un transistor à couches minces (20A) destiné à un a pixel, lequel transistor à couches minces est caractérisé en ce qu'il est doté d'une tension de seuil relativement faible, une couche semi-conductrice d'oxyde (23a) étant entièrement recouverte dans le sens de la largeur de canal (Dcw) avec une électrode de source (25a) et une électrode de drain (26a). La présente invention a également trait à un transistor à couches minces (20B) destiné à un circuit d'attaque, lequel transistor à couches minces est caractérisé en ce qu'il est doté d'une tension de seuil relativement élevée, une couche semi-conductrice d'oxyde (23b) faisant saillie vers le côté extérieur dans le sens de la largeur de canal (Dcw) à partir de l'électrode de source (25b) et de l'électrode de drain (26b).
(JA)  画素用TFT(20A)は、酸化物半導体層(23a)がソース電極(25a)及びドレイン電極(26a)によってチャネル幅方向(Dcw)の全体に亘って覆われて閾値電圧が相対的に低い特性を有し、駆動回路用TFT(20B)は、酸化物半導体層(23b)がソース電極(25b)及びドレイン電極(26b)からチャネル幅方向(Dcw)外側にはみ出して閾値電圧が相対的に高い特性を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報