(EN) A TFT (20A) for a pixel has a characteristic of having a relatively low threshold voltage with an oxide semiconductor layer (23a) entirely covered in the channel width direction (Dcw) with a source electrode (25a) and a drain electrode (26a). A TFT (20B) for a drive circuit has a characteristic of having a relatively high threshold voltage with an oxide semiconductor layer (23b) protruding to the outer side in the channel width direction (Dcw) from the source electrode (25b) and the drain electrode (26b).
(FR) La présente invention a trait à un transistor à couches minces (20A) destiné à un a pixel, lequel transistor à couches minces est caractérisé en ce qu'il est doté d'une tension de seuil relativement faible, une couche semi-conductrice d'oxyde (23a) étant entièrement recouverte dans le sens de la largeur de canal (Dcw) avec une électrode de source (25a) et une électrode de drain (26a). La présente invention a également trait à un transistor à couches minces (20B) destiné à un circuit d'attaque, lequel transistor à couches minces est caractérisé en ce qu'il est doté d'une tension de seuil relativement élevée, une couche semi-conductrice d'oxyde (23b) faisant saillie vers le côté extérieur dans le sens de la largeur de canal (Dcw) à partir de l'électrode de source (25b) et de l'électrode de drain (26b).
(JA) 画素用TFT(20A)は、酸化物半導体層(23a)がソース電極(25a)及びドレイン電極(26a)によってチャネル幅方向(Dcw)の全体に亘って覆われて閾値電圧が相対的に低い特性を有し、駆動回路用TFT(20B)は、酸化物半導体層(23b)がソース電極(25b)及びドレイン電極(26b)からチャネル幅方向(Dcw)外側にはみ出して閾値電圧が相対的に高い特性を有する。