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1. WO2013080483 - 不揮発性半導体記憶装置およびその書き込み方法

公開番号 WO/2013/080483
公開日 06.06.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/007423
国際出願日 19.11.2012
IPC
G11C 13/00 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
13G11C11/00,G11C23/00,またはG11C25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
CPC
G11C 13/0002
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
G11C 13/0004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0004comprising amorphous/crystalline phase transition cells
G11C 13/0007
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0007comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
G11C 13/0038
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0038Power supply circuits
G11C 13/0069
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0069Writing or programming circuits or methods
G11C 2213/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
15Current-voltage curve
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 辻 清孝 TSUJI, Kiyotaka
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
優先権情報
2011-26383801.12.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND WRITE METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ D'ÉCRITURE
(JA) 不揮発性半導体記憶装置およびその書き込み方法
要約
(EN)
The present invention is provided with: a plurality of word lines (2); a plurality of bit lines (3); a cross-point cell array (1) which is configured by an aggregate of cells configured by memory cells (4) and offset current detection cells (5); a word line selection circuit (10); a bit line selection circuit (11); a write control circuit (22); and a current sense circuit (21) which detects current so as to convert the same to an electric signal. The write control circuit (22) adjusts the write-use electric signal so as to draw a second write current, which is higher than a first write current, to the memory cells (4).
(FR)
La présente invention comporte : une pluralité de lignes de mots (2) ; une pluralité de lignes de bits (3) ; une matrice de cellules à points de croisement (1) qui est configurée par un agrégat de cellules configuré par des cellules mémoire (4) et des cellules de détection de courant de décalage (5) ; un circuit de sélection de ligne de mots (10) ; un circuit de sélection de ligne de bits (11) ; un circuit de contrôle d'écriture (22) ; et un circuit de détection de courant (21) qui détecte le courant de manière à le convertir en un signal électrique. Le circuit de contrôle d'écriture (22) ajuste le signal électrique d'utilisation d'écriture de manière à capter un second courant d'écriture, lequel est supérieur à un premier courant d'écriture, vers les cellules mémoire (4).
(JA)
 複数のワード線(2)と、複数のビット線(3)と、メモリセル(4)とオフセット電流検知セル(5)で構成されるセルの集合体で構成されるクロスポイントセルアレイ(1)と、ワード線選択回路(10)と、ビット線選択回路(11)と、書き込み制御回路(22)と、電流を検出し電気信号に変換する電流センス回路(21)と、を備え、書き込み制御回路(22)は、第1の書き込み電流より高い第2の書き込み電流をメモリセル(4)に流すように書き込み用の電気信号を調節する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報