(EN) The present invention is provided with: a plurality of word lines (2); a plurality of bit lines (3); a cross-point cell array (1) which is configured by an aggregate of cells configured by memory cells (4) and offset current detection cells (5); a word line selection circuit (10); a bit line selection circuit (11); a write control circuit (22); and a current sense circuit (21) which detects current so as to convert the same to an electric signal. The write control circuit (22) adjusts the write-use electric signal so as to draw a second write current, which is higher than a first write current, to the memory cells (4).
(FR) La présente invention comporte : une pluralité de lignes de mots (2) ; une pluralité de lignes de bits (3) ; une matrice de cellules à points de croisement (1) qui est configurée par un agrégat de cellules configuré par des cellules mémoire (4) et des cellules de détection de courant de décalage (5) ; un circuit de sélection de ligne de mots (10) ; un circuit de sélection de ligne de bits (11) ; un circuit de contrôle d'écriture (22) ; et un circuit de détection de courant (21) qui détecte le courant de manière à le convertir en un signal électrique. Le circuit de contrôle d'écriture (22) ajuste le signal électrique d'utilisation d'écriture de manière à capter un second courant d'écriture, lequel est supérieur à un premier courant d'écriture, vers les cellules mémoire (4).
(JA) 複数のワード線（２）と、複数のビット線（３）と、メモリセル（４）とオフセット電流検知セル（５）で構成されるセルの集合体で構成されるクロスポイントセルアレイ（１）と、ワード線選択回路（１０）と、ビット線選択回路（１１）と、書き込み制御回路（２２）と、電流を検出し電気信号に変換する電流センス回路（２１）と、を備え、書き込み制御回路（２２）は、第１の書き込み電流より高い第２の書き込み電流をメモリセル（４）に流すように書き込み用の電気信号を調節する。