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1. (WO2013058352) III族窒化物半導体結晶
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/058352    国際出願番号:    PCT/JP2012/077054
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 19.10.2012
IPC:
C30B 29/38 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
発明者: OHATA, Tatsuhiro; .
MATSUMOTO, Hajime; .
NAGAO, Satoru; .
UCHIYAMA, Yasuhiro; .
KUBO, Shuichi; .
FUJITO, Kenji;
代理人: KAWAGUCHI, Yoshiyuki; Acropolis 21 Building 6th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
優先権情報:
2011-232017 21.10.2011 JP
発明の名称: (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
(FR) CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体結晶
要約: front page image
(EN)Since a group III nitride semiconductor crystal such as gallium nitride sometimes suffers from cracking during the processing such as slicing or polishing, the group III nitride semiconductor crystal has been a factor that lowers the production yield of a substrate or the like. By having a region (region X) where the basal plane dislocation density is not less than a specific value and a region (region Y) where the basal plane dislocation density is less than the specific value, the internal stress within the crystal is dispersed, a group III nitride semiconductor crystal becomes less susceptible to cracking during the processing such as slicing or polishing.
(FR)Étant donné qu'un cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III tel que le nitrure de gallium subit parfois une fissuration pendant un traitement tel que le tranchage ou le polissage, le cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III a été un facteur qui abaisse le rendement de production d'un substrat ou analogue. Par la présence d'une région (région X) où la densité de dislocation dans le plan basal n'est pas inférieure à une valeur spécifique et d'une région (région Y) où la densité de dislocation dans le plan basal est inférieure à la valeur spécifique, la tension interne dans le cristal est dispersée, un cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III devient moins sensible à la fissuration pendant un traitement tel que le tranchage ou le polissage.
(JA)窒化ガリウム等のIII族窒化物半導体結晶は、スライス、研磨等の成形加工時に割れが生じることがあり、基板等を製造する際の歩留りを低下させる要因となっていた。基底面転位密度が特定の値以上である領域(領域X)及び基底面転位密度が特定の値未満である領域(領域Y)を有することによって、結晶内の内部応力が分散され、スライス、研磨等の成形加工時に割れが生じにくいIII族窒化物半導体結晶となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)