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1. (WO2013058350) 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、及び該製造方法により製造される周期表第13族金属窒化物半導体結晶
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/058350    国際出願番号:    PCT/JP2012/077047
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 19.10.2012
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/00 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
発明者: SAITO, Yuya; .
ITOH, Sumitaka; .
TERADA, Shigeru; .
KIMURA, Hiromitu;
代理人: KAWAGUCHI, Yoshiyuki; Acropolis 21 Building 6th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
優先権情報:
2011-232166 21.10.2011 JP
2012-066169 22.03.2012 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL OF PERIODIC TABLE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL OF PERIODIC TABLE PRODUCED BY SAID PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE D'UN MÉTAL DU GROUPE 13 DU TABLEAU PÉRIODIQUE ET CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE D'UN MÉTAL DU GROUPE 13 DU TABLEAU PÉRIODIQUE PRODUIT PAR LEDIT PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、及び該製造方法により製造される周期表第13族金属窒化物半導体結晶
要約: front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide: a high-quality nitride semiconductor crystal of a group 13 metal of the periodic table, which is obtained by epitaxial growth on a base substrate that has a non-polar surface and/or a semi-polar surface as a main surface, and which has low absorption coefficient and is suitable for use in a device, while having a controlled dopant concentration in the crystal; and a production method by which the semiconductor crystal can be produced. A high-quality nitride semiconductor crystal of a group 13 metal of the periodic table, which has a precisely controlled dopant concentration and a low absorption coefficient and is suitable for use in a device, can be provided by suppressing oxygen doping due to impurities and having the Si concentration higher than the oxygen concentration.
(FR)La présente invention concerne : un cristal semi-conducteur de nitrure, de haute qualité, d'un métal du groupe 13 du tableau périodique, qui est obtenu par croissance épitaxiale sur un substrat de base qui présente une surface non polaire et/ou une surface semi-polaire comme surface principale, et qui présente un faible coefficient d'absorption et convient pour une utilisation dans un dispositif, tout en présentant une concentration en élément dopant réglée dans le cristal ; et un procédé de production au moyen duquel le cristal semi-conducteur peut être produit. Un cristal semi-conducteur de nitrure, de haute qualité, d'un métal du groupe 13 du tableau périodique, qui présente une concentration en élément dopant réglée de manière précise et un faible coefficient d'absorption et convient pour une utilisation dans un dispositif, peut être obtenu par la suppression du dopage par l'oxygène en raison des impuretés et par le fait d'avoir une concentration en Si supérieure à la concentration en oxygène.
(JA)非極性面及び/又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第13族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、O濃度よりもSi濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)