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1. (WO2013058232) チップダイオードおよびダイオードパッケージ

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/058232    国際出願番号:    PCT/JP2012/076684
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 16.10.2012
H01L 29/861 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
発明者: YAMAMOTO, Hiroki; (JP)
代理人: INAOKA Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
2011-227964 17.10.2011 JP
2011-270253 09.12.2011 JP
2012-060557 16.03.2012 JP
2012-060558 16.03.2012 JP
2012-060559 16.03.2012 JP
2012-086784 05.04.2012 JP
2012-148862 02.07.2012 JP
2012-149732 03.07.2012 JP
2012-149733 03.07.2012 JP
2012-149734 03.07.2012 JP
2012-217882 28.09.2012 JP
(JA) チップダイオードおよびダイオードパッケージ
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a chip diode in which the p-n junction formed on the semiconductor layer can be prevented from being destroyed and fluctuations in characteristics can be minimized, even when the pad for providing an electrical connection with the exterior is subjected to significant stress; and to provide a diode package having the chip diode. [Solution] A chip diode (15) including: an epitaxial layer (21) provided with a p-n junction (28) constituting a diode element (29); an anode electrode (34) disposed along the surface (22) of the epitaxial layer (21) and electrically connected to a diode impurity region (23), which is the p-side pole of the p-n junction (28), the anode electrode having a pad (37) for establishing an electrical connection with the exterior; and a cathode electrode (41) electrically connected to the epitaxial layer (21), which is the n-side pole of the p-n junction (28); wherein the pad (37) is provided to a position set at a distance from a position immediately above the p-n junction (28).
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir une diode pastille permettant d'éviter la destruction de la jonction P-N qui est formée sur la couche semi-conductrice et de minimiser les fluctuations des caractéristiques, y compris lorsque la plage de connexion destinée à fournir une connexion électrique avec l'extérieur est soumise à une contrainte significative; et de fournir un boîtier de diode qui est doté de la diode pastille. La présente invention a trait à une diode pastille (15) qui inclut : une couche épitaxiale (21) qui est dotée d'une jonction P-N (28) constituant un élément de diode (29); une électrode d'anode (34) qui est disposée le long de la surface (22) de la couche épitaxiale (21) et qui est électriquement connectée à une région d'impuretés de diode (23), qui est le pôle côté P de la jonction P-N (28), l'électrode d'anode étant pourvue d'une plage de connexion (37) destinée à établir une connexion électrique avec l'extérieur; et une électrode de cathode (41) qui est électriquement connectée à la couche épitaxiale (21), qui est le pôle côté N de la jonction P-N (28); laquelle plage de connexion (37) est prévue sur une position définie à une certaine distance de la position immédiatement au-dessus de la jonction P-N (28).
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)