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1. (WO2013058070) 半導体基板のエッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/058070    国際出願番号:    PCT/JP2012/074591
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 25.09.2012
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAYAMA, Moriya; (US only).
KOYAMA, Yasuhiro; (US only).
ODA, Hajime; (US only)
発明者: OKAYAMA, Moriya; .
KOYAMA, Yasuhiro; .
ODA, Hajime;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2011-229962 19.10.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板のエッチング方法
要約: front page image
(EN)This etching method is a method for etching a semiconductor substrate (15) using an alkaline water solution which contains a surfactant (17), and is implemented by generating an electric field during etching treatment so that the electric field should become perpendicular to an etching surface of the semiconductor substrate (15). Thus, precise concave-convex structures can be regularly formed on the semiconductor substrate.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de gravure qui est un procédé de gravure de substrat semi-conducteur (15) utilisant une solution aqueuse alcaline qui contient un agent tensio-actif (17) et est mis en œuvre par génération d'un champ électrique durant un traitement de gravure, de telle sorte que le champ électrique devient perpendiculaire à une surface de gravure du substrat semi-conducteur (15). Ainsi, des structures concaves-convexes précises peuvent être formées de manière régulière sur le substrat semi-conducteur.
(JA) 本発明のエッチング方法は、界面活性剤(17)を含んでいるアルカリ水溶液を用いた、半導体基板(15)のエッチング方法であって、エッチング処理時に半導体基板(15)のエッチングする面に対して直交するように電界を生じさせて実施される。これによって、半導体基板上に精密な凹凸構造が規則正しく形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)