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1. (WO2013058036) シリコンブロックの検査方法および製造方法、シリコンブロック、シリコンウェハの製造方法、シリコンウェハ、太陽電池素子ならびに太陽電池モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/058036    国際出願番号:    PCT/JP2012/073282
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 12.09.2012
IPC:
G01N 22/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OISHI, Ryuichi; (米国のみ)
発明者: OISHI, Ryuichi;
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-229529 19.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SILICON BLOCK INSPECTION METHOD AND FABRICATION METHOD, SILICON BLOCK, SILICON WAFER FABRICATION METHOD, SILICON WAFER, SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BLOC DE SILICIUM, BLOC DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, PLAQUETTE DE SILICIUM, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET MODULE SOLAIRE
(JA) シリコンブロックの検査方法および製造方法、シリコンブロック、シリコンウェハの製造方法、シリコンウェハ、太陽電池素子ならびに太陽電池モジュール
要約: front page image
(EN)The present invention provides a method of inspecting a silicon block which is cut from a polycrystalline silicon ingot that is formed by uniaxial coagulation, comprising: a lifetime measurement step of measuring the lifetime of a silicon block minority carrier; and an oxygen concentration computation step of computing from the lifetime which is measured in the lifetime measurement step the oxygen concentration of the silicon block.
(FR)Cette invention concerne un procédé d'inspection d'un bloc de silicium découpé dans un lingot de silicium polycristallin qui est formé par coagulation uniaxiale, ledit procédé comprenant : une étape de mesure de durée de vie consistant à mesurer la durée de vie d'un porteur minoritaire du bloc de silicium; et une étape de calcul de concentration d'oxygène consistant à calculer d'après la durée de vie qui est mesurée dans l'étape de mesure de durée de vie la concentration d'oxygène du bloc de silicium.
(JA) 本発明は、一方向凝固により形成された多結晶シリコンインゴットから切り出されたシリコンブロックの検査方法であって、シリコンブロックの少数キャリアのライフタイムを測定するライフタイム測定工程と、ライフタイム測定工程において測定したライフタイムからシリコンブロックの酸素濃度を算出する酸素濃度算出工程と、を含むシリコンブロックの検査方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)