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1. (WO2013058018) コンデンサの陽極体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/058018    国際出願番号:    PCT/JP2012/071759
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 29.08.2012
IPC:
H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/052 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAITO Kazumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YABE Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAITO Kazumi; (JP).
YABE Shoji; (JP)
代理人: OHIE Kunihisa; OHIE Patent Office, Selva-Ningyocho 6F, 14-6, Nihonbashi-Ningyocho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
2011-229040 18.10.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF MANUFACTURING ANODE OF CAPACITOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE ANODE D'UN CONDENSATEUR
(JA) コンデンサの陽極体の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a method of manufacturing an anode of a capacitor by sintering a compact of tungsten powder, wherein the method is characterized in having the compact exposed to silicon vapor and sintered, and making at least a portion of the surface of the obtained sintered body into tungsten silicide. According to the present invention, an anode which can solve the problem of leakage currents (LC) in tungsten capacitors can be manufactured efficiently, said anode comprising a sintered tungsten body having tungsten silicide on the surface of the sintered body particles thereof.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une anode d'un condensateur par frittage d'un compact de poudre de tungstène, le procédé étant caractérisé par le fait qu'il présente le compact exposé à la vapeur de silicium et fritté et qu'il prépare au moins une partie de la surface du corps fritté obtenu en siliciure de tungstène. Selon la présente invention, une anode qui peut résoudre le problème des fuites de courant dans des condensateurs en tungstène, peut être fabriquée de manière efficace, ladite anode comprenant un corps en tungstène fritté qui contient le siliciure de tungstène sur la surface des particules de corps fritté de ce dernier.
(JA) 本発明はタングステン粉の成形体を焼結してコンデンサの陽極体を作製する製造方法において、前記成形体をケイ素の蒸気に曝して焼結し、得られる焼結体の表面の少なくとも一部をケイ化タングステンにすることを特徴とするコンデンサの陽極体の製造方法に関する。 本発明によれば、タングステンコンデンサの漏れ電流(LC)の問題を解消できる焼結体粒子の表面にケイ化タングステンを含むタングステン焼結体からなる陽極体を効率的に製造することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)