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1. (WO2013057816) 光電変換素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/057816    国際出願番号:    PCT/JP2011/074124
国際公開日: 25.04.2013 国際出願日: 20.10.2011
IPC:
H01L 51/42 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MOMOSE, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MOMOSE, Satoru; (JP)
代理人: SANADA, Tamotsu; NOF Kichijoji-honcho Bldg. 5th Floor, 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 光電変換素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This photoelectric conversion element is provided with: a positive electrode (2); a negative electrode (5); a photoelectric conversion layer (4) that contains poly[N-9"-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4',7'-di-2- thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)] as a p-type organic semiconductor material and a fullerene or a fullerene derivative as an n-type organic semiconductor material; and a buffer layer (3) that is provided between the positive electrode and the photoelectric conversion layer and contains MoO3. The ratio of the p-type organic semiconductor material in a region of the photoelectric conversion layer, said region being in contact with the buffer layer, is higher than the ratio of the p-type organic semiconductor material in the whole photoelectric conversion layer; and the ratio of the p-type organic semiconductor material in another region of the photoelectric conversion layer, said another region being closer to the negative electrode than the region in contact with the buffer layer, is lower than the ratio of the p-type organic semiconductor material in the whole photoelectric conversion layer.
(FR)La présente invention porte sur un élément de conversion photoélectrique qui comporte : une électrode positive (2) ; une électrode négative (5) ; une couche de conversion photoélectrique (4) qui contient le poly[N-9''-heptadécanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4',7'-di-2-thiényl-2',1',3'-benzothiadiazole)] en tant que matière semi-conductrice organique de type p et un fullerène ou un dérivé de fullerène en tant que matière semi-conductrice organique de type n ; et une couche tampon (3) qui est disposée entre l'électrode positive et la couche de conversion photoélectrique et contient MoO3. La teneur de la matière semi-conductrice organique de type p dans une région de la couche de conversion photoélectrique, ladite région étant en contact avec la couche tampon, est supérieure à la teneur de la matière semi-conductrice organique de type p dans toute la couche de conversion photoélectrique ; et la teneur de la matière semi-conductrice organique de type p dans une autre région de la couche de conversion photoélectrique, ladite autre région étant plus proche de l'électrode négative que de la région en contact avec la couche tampon, est inférieure à la teneur de la matière semi-conductrice organique de type p dans toute la couche de conversion photoélectrique.
(JA) 光電変換素子を、陽極(2)と、陰極(5)と、p型有機半導体材料としてポリ-[N-9"-ヘプタデカニル-2,7-カルバゾール-alt-5,5-(4',7'-ジ-2-チエニル2',1',3'-ベンゾチアジアゾール)]を含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体を含む光電変換層(4)と、陽極と光電変換層との間に設けられ、MoOを含むバッファ層(3)とを備え、光電変換層のバッファ層に接する領域におけるp型有機半導体材料の比率が、光電変換層の全体におけるp型有機半導体材料の比率よりも高く、かつ、光電変換層のバッファ層に接する領域よりも陰極側の領域におけるp型有機半導体材料の比率が、光電変換層の全体におけるp型有機半導体材料の比率よりも低くなっているものとする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)