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1. (WO2013054916) 結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054916    国際出願番号:    PCT/JP2012/076517
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 12.10.2012
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: TAMURA CORPORATION [JP/JP]; 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511 (JP).
KOHA CO., LTD. [JP/JP]; 6-8, Kouyama 2-chome, Nerima-ku, Tokyo 1760022 (JP)
発明者: IIZUKA, Kazuyuki; (JP).
MORISHIMA, Yoshikatsu; (JP).
SATO, Shinkuro; (JP)
代理人: HIRATA, Tadao; Hirata & Partners, 29th Floor, Shinjuku Front Tower, 2-21-1, Kitashinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1690074 (JP)
優先権情報:
2011-225629 13.10.2011 JP
2011-225630 13.10.2011 JP
2011-225631 13.10.2011 JP
発明の名称: (EN) CRYSTAL LAYERED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) STRUCTURE FEUILLETÉE EN CRISTAUX ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION, ET ÉLÉMENT À SEMICONDUCTEUR
(JA) 結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体素子
要約: front page image
(EN)Provided is a crystal layered structure having a low dislocation density on the upper surface of a nitride semiconductor layer on a Ga2O3 substrate, and a method for manufacturing the same. In one embodiment, there is provided a crystal layered structure (1) including: a Ga2O3 substrate (2); a buffer layer (3) comprising an AlxGayInzN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1) crystal on the Ga2O3 substrate (2); and a nitride semiconductor layer (4) comprising an AlxGayInzN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1) crystal including oxygen as an impurity on the buffer layer (3). The oxygen concentration in a region (4a) having a thickness of no less than 200 nm on the nitride semiconductor layer (4) on the side towards the Ga2O3 substrate (2) is no less than 1.0 × 1018/cm3.
(FR)L'invention concerne une structure feuilletée en cristaux caractérisée par une faible densité de dislocations sur la surface supérieure d'une couche de semiconducteur au nitrure sur un substrat en Ga2O3, et un procédé pour sa fabrication. Un mode de réalisation de l'invention concerne une structure feuilletée (1) en cristaux comprenant : un substrat (2) en Ga2O3 ; une couche tampon (3) comportant un cristal d'AlxGayInzN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1) sur le substrat (2) en Ga2O3 ; et une couche (4) de semiconducteur au nitrure comportant un cristal d'AlxGayInzN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1) comprenant de l'oxygène en tant qu'impureté sur la couche tampon (3). La concentration d'oxygène dans la région (4a) présentant une épaisseur au moins égale à 200 nm sur la couche de semiconducteur au nitrure (4) du côté faisant face au substrat (2) en Ga2O3 est au moins égale à 1,0 × 1018/cm3.
(JA) Ga23基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。 一実施の形態において、Ga23基板2と、Ga23基板2上のAlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa23基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm3以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)