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1. (WO2013054852) 窒化珪素基板および窒化珪素基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054852    国際出願番号:    PCT/JP2012/076339
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 11.10.2012
IPC:
C04B 35/584 (2006.01), C04B 35/64 (2006.01), C04B 37/02 (2006.01), H01L 23/13 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
出願人: HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058614 (JP)
発明者: KAGA, Youichirou; (JP)
代理人: ARIHARA, Motoji; Elpulimento Shinjuku 308, 7-1, Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2011-224020 11.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE NITRURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE NITRURE DE SILICIUM
(JA) 窒化珪素基板および窒化珪素基板の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a silicon nitride substrate including a main phase in which a silicon nitride grain is the main component, and a grain boundary phase formed mainly from a sintering auxiliary, wherein a separation layer is formed on the surface of a plate-shaped compact including a silicon nitride powder/sintering auxiliary powder and an organic binder, by using a boron nitride paste containing a boron nitride powder/organic binder and an organic solvent; the separation layer and compact are heated; the organic binder is removed from the separation layer and the compact; and subsequently a plurality of compacts layered with interposed separation layers are sintered. The boron nitride paste contains 0.01-0.50 wt% of oxygen (O) and 0.001-0.5 wt% of carbon (C), and c/a is within the range of 0.02-10.00, where c is the content (wt%) of oxygen in the boron nitride powder in the boron nitride paste, and a is the content (wt%) of carbon in the degreased separation layer. The separation layer formed on the compact in the separation-layer-forming step includes 0.2-3.5 mg/cm2 of hexagonal boron nitride powder.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de nitrure de silicium comprenant une phase principale dans laquelle un grain de nitrure de silicium est le composant principal et une phase de joint de grains formée principalement à partir d'un auxiliaire de frittage, une couche de séparation étant formée sur la surface d'un compact en forme de plaque comprenant une poudre de nitrure de silicium/poudre d'auxiliaire de frittage et un liant organique, par utilisation d'une pâte de nitrure de bore contenant une poudre de nitrure de bore/un liant organique et un solvant organique; la couche de séparation et le compact sont chauffés; le liant organique est retiré de la couche de séparation et du compact; et ultérieurement, une pluralité de compacts feuilletés ayant des couches de séparation interposées sont frittés. La pâte de nitrure de bore contient 0,01-0,50 % en poids d'oxygène (O) et 0,001-0,5 % en poids de carbone (C) et c/a se situe à l'intérieur de la plage de 0,02-10,00, où c est la teneur (% en poids) d'oxygène dans la poudre de nitrure de bore dans la pâte de nitrure de bore et a est la teneur (% en poids) de carbone dans la couche de séparation dégraissée. La couche de séparation formée sur le compact dans l'étape de formation de couche de séparation comprend 0,2-3,5 mg/cm² de poudre de nitrure de bore hexagonal.
(JA) 窒化珪素粒子を主体とした主相と、主に焼結助剤から形成された粒界相とを含む窒化珪素基板の製造方法であって、窒化ホウ素粉末・有機バインダおよび有機溶剤を含む窒化ホウ素ペーストにより窒化珪素粉末・焼結助剤粉末および有機バインダを含む板状の成形体の表面に分離層を形成し、この分離層及び成形体を加熱し、分離層及び成形体から有機バインダを除去し、その後、分離層を介し複数枚積層された成形体を焼結する。上記窒化ホウ素ペーストは、酸素(O)を0.01~0.50質量%および炭素(C)を0.001~0.5質量%含み、前記窒化ホウ素ペーストの窒化ホウ素粉末中に含まれる酸素の含有率(質量%)をc、前記脱脂工程後の分離層に含まれる炭素分の含有率(質量%)をaとした場合に、c/aが0.02~10.00の範囲であり、さらに前記分離層形成工程において成形体に形成された分離層は0.2~3.5mg/cmの六方晶窒化ホウ素粉末を含むよう構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)