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1. (WO2013054806) セラミックス部材、半導体製造装置用部材及びセラミックス部材の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054806    国際出願番号:    PCT/JP2012/076176
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 10.10.2012
IPC:
C04B 35/04 (2006.01), C04B 35/58 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP)
発明者: WATANABE, Morimichi; (JP).
JINDO, Asumi; (JP).
KATSUDA, Yuji; (JP).
SATO, Yosuke; (JP).
ISODA, Yoshinori; (JP).
WATANABE, Atsushi; (JP)
代理人: ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2011-223851 11.10.2011 JP
発明の名称: (EN) CERAMIC MEMBER, MEMBER FOR USE IN SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING CERAMIC MEMBER
(FR) ELÉMENT CÉRAMIQUE, ÉLÉMENT À UTILISER DANS UN DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT CÉRAMIQUE
(JA) セラミックス部材、半導体製造装置用部材及びセラミックス部材の製造方法
要約: front page image
(EN)This ceramic member (30) is provided with: a ceramic substrate (32) having Mg (Al) O (N), in which Al and N components form a solid solution with magnesium oxide, as the principal component thereof; and an electrode (34) positioned on one section of the ceramic substrate (32) and including at least one nitride, oxide, carbonitride or metal as an electrode component thereof. This ceramic substrate (32) may be one, when measured using CuKα radiation, in which the XRD peak of the (111), (200) or (220) plane of the Mg (Al) O (N) appears between the peak of cubic magnesium oxide and the peak of cubic aluminum nitride at 2θ=36.9-39°, 42.9-44.8° and 62.3-65.2°.
(FR)L'invention concerne un élément céramique (30) qui est pourvu : d'un substrat céramique (32) ayant Mg (Al) O (N), dans lequel les composants Al et N forment une solution solide avec de l'oxyde de magnésium, comme composant principal de celui-ci; d'une électrode (34) positionnée sur une section du substrat céramique (32) et comprenant au moins un nitrure, un oxyde, un carbonitrure ou un métal comme composant d'électrode de celle-ci. Ce substrat céramique (32) peut être un substrat, lorsqu'il est mesuré à l'aide d'un rayonnement CuKα, dans lequel le pic de diffraction des rayons X (XRD) du plan (111), (200) ou (220) du Mg (Al) O (N) apparaît entre le pic de l'oxyde de magnésium cubique et le pic du nitrure d'aluminium cubique à 2θ=36,9-39°, 42,9-44,8° et 62,3-65,2°.
(JA) 本発明のセラミックス部材30は、酸化マグネシウムにAl、N成分が固溶したMg(Al)O(N)を主相とするセラミックス基体32と、セラミックス基体32の一部に配置され窒化物、炭化物、炭窒化物及び金属のいずれか1以上を電極成分として含む電極34とを備えている。このセラミックス基体32は、CuKα線を用いたときの記Mg(Al)O(N)の(111)面、又は(200)面、又は(220)面のXRDピークがそれぞれ酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°、42.9~44.8°、62.3~65.2°に現れるものとしてもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)