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1. (WO2013054623) 半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体形成用原料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054623    国際出願番号:    PCT/JP2012/073156
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 11.09.2012
IPC:
C01B 19/00 (2006.01), C30B 29/46 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
INAI, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Isamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: INAI, Seiichiro; (JP).
TANAKA, Isamu; (JP)
優先権情報:
2011-225809 13.10.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND RAW MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET MATIÈRE PREMIÈRE DE FORMATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体形成用原料
要約: front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide a semiconductor layer with high photoelectric conversion efficiency and a photoelectric conversion device using same. A method for manufacturing a semiconductor layer according to one embodiment of the present invention includes: a step for preparing compound particles which include a I-III-VI compound, and are of a shape having a corner; a step for dissolving the compound particles in a solvent to produce a raw material solution; and a step for applying the raw material solution to form a coating, and heating the coating to produce a semiconductor layer (3). Furthermore, the method for manufacturing the photoelectric conversion device produces on the semiconductor layer (3) a second semiconductor layer (4) that has a conductivity type different from that of the semiconductor layer (3).
(FR)La présente invention a pour objet de fournir une couche de semi-conducteur ayant un rendement élevé de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique l'utilisant. Un procédé de fabrication d'une couche de semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une étape consistant à préparer des particules de composé qui comprennent un composé I-III-VI et sont d'une forme ayant un coin ; une étape consistant à dissoudre les particules de composé dans un solvant pour produire une solution de matière première ; et une étape consistant à appliquer la solution de matière première pour former un revêtement et à chauffer le revêtement pour produire une couche de semi-conducteur (3). De plus, le procédé de fabrication du dispositif de conversion photoélectrique produit sur la couche de semi-conducteur (3) une seconde couche de semi-conducteur (4) qui a un type de conductivité différent de celui de la couche de semi-conducteur (3).
(JA) 本発明は、光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供することを目的とする。 本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法は、I-III-VI族化合物を含むとともに角部を有する形状の化合物粒子を用意する工程と、化合物粒子を溶媒に分散して原料溶液を作製する工程と、原料溶液を塗布して皮膜を形成し、皮膜を加熱して半導体層3にする工程とを具備する。また、光電変換装置の製造方法は、上記半導体層3上に上記半導体層3とは異なる導電型を有する第2の半導体層4を作製する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)