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1. (WO2013054614) トランスデューサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054614    国際出願番号:    PCT/JP2012/072489
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 04.09.2012
IPC:
H02N 11/00 (2006.01)
出願人: TOKAI RUBBER INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1, Higashi 3-chome, Komaki-shi, Aichi 4858550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAMATSU Shigeaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUMAGAI Shinji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOKUBO Yota [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAMATSU Shigeaki; (JP).
KUMAGAI Shinji; (JP).
KOKUBO Yota; (JP)
代理人: HIGASHIGUCHI Michiaki; HIGASHIGUCHI PATENT LAW FIRM, Room 402, SGNagoyaeki Bldg., 4-4-19, Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4510051 (JP)
優先権情報:
2011-223959 11.10.2011 JP
2012-066985 23.03.2012 JP
発明の名称: (EN) TRANSDUCER
(FR) TRANSDUCTEUR
(JA) トランスデューサ
要約: front page image
(EN)This transducer (1) is provided with a high-resistivity layer (10) which contains elastomers and has a volume resistivity of 1012 Ω⋅cm or greater, a pair of electrodes (30a, 30b) which are arranged on both the front and back sides of the high-resistivity layer (10) and which contain a binder and a conductive material, and a medium-resistivity layer (20) which is interposed between the high-resistivity layer (10) and the electrode (30a) on the front and/or back of the high-resistivity layer (10), which contains elastomers and has a volume resistivity at least two orders of magnitude smaller than that of the high-resistivity layer (10). In this transducer (1), by interposing the medium-resistivity layer (10) between at least one (30a) of the electrodes and the high-resistivity layer (10) and making use of the insulation breakdown resistance inherent to the high-resistivity layer (10), greater voltages can be applied and more power can be obtained.
(FR)La présente invention porte sur un transducteur (1) qui comporte une couche de résistivité élevée (10) qui contient des élastomères et a une résistivité volumique de 1012Ω⋅ cm ou supérieure, une paire d'électrodes (30a, 30b) qui sont agencées sur à la fois les côtés avant et arrière de la couche de résistivité élevée (10) et qui contiennent un liant et une matière conductrice, et une couche de résistivité intermédiaire (20) qui est interposée entre la couche de résistivité élevée (10) et l'électrode (30a) sur l'avant et/ou l'arrière de la couche de résistivité élevée (10), qui contient des élastomères et a une résistivité volumique d'au moins deux ordres de grandeur plus petits que celle de la couche de résistivité élevée (10). Dans ce transducteur (1), par interposition de la couche de résistivité intermédiaire (10) entre au moins l'une (30a) des électrodes et la couche de résistivité élevée (10) et réalisation de l'utilisation de la résistance au claquage d'isolation inhérente à la couche de résistivité élevée (10), des tensions supérieures peuvent être appliquées et plus de puissance peut être obtenue.
(JA) トランスデューサ1は、エラストマーを含み体積抵抗率が1012Ω・cm以上の高抵抗層10と、高抵抗層10の表裏両側に配置され、バインダーおよび導電材を含む一対の電極30a、30bと、高抵抗層10の表裏少なくとも一方において電極30aと高抵抗層10との間に介装され、エラストマーを含み高抵抗層10よりも体積抵抗率が2桁以上小さい中抵抗層20と、を備える。トランスデューサ1によると、少なくとも一方の電極30aと高抵抗層10との間に中抵抗層20を介装し、高抵抗層10が本来有する耐絶縁破壊性を生かすことにより、より大きな電圧を印加して、より大きな力を得ることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)