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1. (WO2013054535) 固体撮像装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054535    国際出願番号:    PCT/JP2012/006547
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 12.10.2012
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: YANO, Hisashi; .
SUZUKI, Shigeru; .
OKAZAKI, Gen; .
OODAIRA, Akira; .
KATSUNO, Motonari; .
NAKAMURA, Tetsuya;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2011-225587 13.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A solid-state imaging device is provided with a pixel unit (A) wherein: a plurality of photodiodes (40) are formed on a semiconductor substrate (1); a first insulating film (50) has a recess (17) on the upper part of each of the plurality of photodiodes (40); a second insulating film (60) fills in the recess (17); a plurality of color filters, such as blue filters (29a), are formed over the second insulating film (60) so as to correspond to each of the plurality of photodiodes (40); and a partition formed from one part of a third insulating film (23) is inserted between neighboring color filters. In regions that are exterior to the pixel unit (A) such as the light blocking unit (B) and the peripheral circuit unit (C), conductive films such as a pad electrode (21) and a light blocking film (22) are formed over the second insulating film (60) so as to be at least partially covered by the third insulating film (23), and the thickness of the third insulating film (23), which is formed over the conductive films and over the second insulating film (60) that surrounds the conductive films, is less than the thickness of the partition.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui est équipé d'une unité de pixel (A) où : une pluralité de photodiodes (40) sont formées sur un substrat semi-conducteur (1) ; un premier film isolant (50) est pourvu d'un évidement (17) sur la partie supérieure de chacune des multiples photodiodes (40) ; un deuxième film isolant (60) remplit l'évidement (17) ; une pluralité de filtres colorés, tels que des filtres bleus (29a), sont formés au-dessus du deuxième film isolant (60) de manière à correspondre à chacune des multiples photodiodes (40) ; et une cloison qui est constituée d'une partie d'un troisième film isolant (23) est insérée entre les filtres colorés voisins. Dans les régions qui sont situées à l'extérieur de l'unité de pixel (A), telles que l'unité de blocage de la lumière (B) et l'unité de circuit périphérique (C), des films conducteurs tels qu'une électrode souple (21) et un film de blocage de la lumière (22) sont formés au-dessus du deuxième film isolant (60) de manière à être au moins partiellement recouverts par le troisième film isolant (23), et l'épaisseur du troisième film isolant (23), qui est formé au-dessus des films conducteurs et au-dessus du deuxième film isolant (60) qui entoure les films conducteurs, est inférieure à l'épaisseur de la cloison.
(JA) 固体撮像装置の画素部(A)では、半導体基板(1)に複数のフォトダイオード(40)が形成され、第1の絶縁膜(50)は複数のフォトダイオード(40)の各々の上方に位置する部分に凹部(17)を有し、第2の絶縁膜(60)は凹部(17)を埋め込み、第2の絶縁膜(60)の上に、複数のフォトダイオード(40)の各々に対応して青色フィルタ(29a)等の複数のカラーフィルタが形成され、隣接するカラーフィルタ同士の間には、第3の絶縁膜(23)の一部からなる隔壁が挿設され、遮光部(B)及び周辺回路部(C)等の画素部(A)の外側の領域では、第2の絶縁膜(60)の上に、少なくとも一部が第3の絶縁膜(23)に覆われるようにパッド電極(21)及び遮光膜(22)等の導電膜が形成され、導電膜の上と導電膜の周辺の第2の絶縁膜(60)の上とに形成されている第3の絶縁膜(23)の膜厚は、隔壁の膜厚よりも薄い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)