WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013054506) 半導体記憶素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/054506    国際出願番号:    PCT/JP2012/006465
国際公開日: 18.04.2013 国際出願日: 09.10.2012
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: HAYAKAWA, Yukio; .
HIMENO, Atsushi; .
MURASE, Hideaki; .
KAWASHIMA, Yoshio; .
MIKAWA, Takumi;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2011-224279 11.10.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体記憶素子の製造方法
要約: front page image
(EN)The method includes: a step of forming a lower electrode (105) on top of a substrate (100); a step of forming a first resistance change layer (106a) constituted by a first metallic oxide on the lower electrode (105); a step of forming a step region (106x) by impact of ions excited by plasma on the first resistance change layer (106a); a step of removing the residue (106y) of the first resistance change layer generated by forming the step region (106x); a step of forming a second resistance change layer (106b), covering the step region (106x) of the first resistance change layer (106a) having a curved section, that is constituted by a second metallic oxide whose degree of oxygen depletion is less than that of the first metallic oxide on the step formed along the edge of the step region (106x); and a step of forming an upper electrode (107) on the second resistance change layer (106b).
(FR)Le procédé de l'invention inclut : une étape de formation d'électrode de partie inférieure (105) au-dessus d'un substrat (100); une étape de formation d'une première couche de variation de résistance (106a) configurée à l'aide d'un premier oxyde de métal sur l'électrode de partie inférieure (105); une étape de formation, sur la première couche de variation de résistance (106a), d'une région d'épaulement (106x) par impact d'ions excités par un plasma; une étape de retrait de résidus (106y) de la première couche de variation de résistance (106a) apparus à la formation la région d'épaulement (106x); une étape de formation d'une seconde couche de variation de résistance (106b) qui recouvre la région d'épaulement (106x) de la première couche de variation de résistance (106a), qui est configurée par un second oxyde de métal de degré d'insuffisance en oxygène inférieur à celui du premier oxyde de métal, et qui possède une partie courbure sur l'épaulement formé suivant le bord de la région d'épaulement (106x); et une étape de formation d'électrode de partie supérieure sur la seconde couche de variation de résistance (106b).
(JA) 基板(100)上方に下部電極(105)を形成する工程と、下部電極(105)上に第1の金属酸化物で構成される第1の抵抗変化層(106a)を形成する工程と、第1の抵抗変化層(106a)上にプラズマで励起されたイオンの衝突で段差領域(106x)を形成する工程と、段差領域(106x)の形成で発生した第1の抵抗変化層の残渣(106y)を除去する工程と、第1の抵抗変化層(106a)の段差領域(106x)を被覆して、酸素不足度が、第1の金属酸化物より小さい第2の金属酸化物で構成され、かつ段差領域(106x)の縁に沿って形成された段差上に屈曲部を有する第2の抵抗変化層(106b)を形成する工程と、第2の抵抗変化層(106b)上に上部電極(107)を形成する工程とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)