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1. (WO2013051467) 電子ビーム描画装置および描画方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051467    国際出願番号:    PCT/JP2012/074980
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 27.09.2012
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01)
出願人: PARAM CORPORATION [JP/JP]; Product Development Support Laboratory 2, Tama Techno Plaza, Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute, 3-6-1, Azuma-cho, Akishima-shi, Tokyo 1960033 (JP)
発明者: YASUDA, Hiroshi; (JP)
代理人: YKI PATENT ATTORNEYS; 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
優先権情報:
2011-219530 03.10.2011 JP
2012-120130 25.05.2012 JP
発明の名称: (EN) ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY DEVICE AND LITHOGRAPHIC METHOD
(FR) DISPOSITIF DE LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE
(JA) 電子ビーム描画装置および描画方法
要約: front page image
(EN)A high-accuracy and high-speed lithographic pattern is acquired by forming a square lattice matrix beam group with an interval which is an integer multiple of a beam size in a two dimensional plane, switching on and off the mesh of a device to be drawn by a bitmap signal, forming a desired beam shape, deflecting the beam to a necessary position, and radiating a beam with a whole blanker being opened after the beam state is stabilized. On and off signals and a vector scan signal of each beam are provided, and the whole blanker is released after the beam is stabilized, and thus high-accuracy and high-speed lithography is performed with a small amount of data. When the total number of shots exceeds a constant value, the pattern data is modified and high-speed lithography is achieved. A semiconductor reversed bias p-n junction technique is preferably used for an individual blanker electrode.
(FR)Selon la présente invention, un motif lithographique à vitesse élevée et précision élevée est acquis par formation d'un groupe de faisceaux à matrice de réseau carrée ayant un intervalle qui est un nombre entier multiple d'une dimension de faisceau dans un plan bidimensionnel, activation et désactivation du maillage d'un dispositif à dessiner par un signal de table de bits, formation d'une forme de faisceau désirée, déviation du faisceau à une position nécessaire et rayonnement d'un faisceau avec un éliminateur entier qui est ouvert après que l'état de faisceau est stabilisé. Des signaux marche et arrêt et un signal de balayage vectoriel de chaque faisceau sont fournis et l'éliminateur entier est libéré après que le faisceau est stabilisé et ainsi une lithographie à vitesse élevée et précision élevée est réalisée avec une petite quantité de données. Lorsque le nombre total de tirs excède une valeur constante, les données de motif sont modifiées et une lithographie à vitesse élevée est obtenue. Une technique de jonction p-n à polarisation inverse de semi-conducteur est utilisée, de préférence, pour une électrode d'éliminateur individuelle.
(JA) ビームサイズの整数倍の間隔の2次元平面内の正方格子行列ビーム群を形成し、描画すべきデバイスのメッシュをビットマップ信号によりON/OFFし、所望のビーム形状を整形し、ビームを必要位置に偏向し、ビーム状態が静定した後、全体ブランカを開としてビーム照射することにより、高精度かつ高速の描画パターンを得る。各ビームのON/OFF信号とベクトル走査信号を与え、ビームが静定した後に、全体ブランカを解除し、少ないデータ量で高精度・高速の描画を行う。全体のショット数が一定値を超える場合にはパターンデータを変更し、高速描画を実現する。なお、個別ブランカ電極に半導体逆バイアスPN接合技術を利用することが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)