WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013051433) 光起電力素子の欠陥修復方法および欠陥修復装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051433    国際出願番号:    PCT/JP2012/074608
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 26.09.2012
IPC:
H01L 31/076 (2012.01), H01L 31/20 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGATA, Takeshi; (US only).
INUI, Hitoshi; (US only).
NAKANISHI, Yasunori; (US only).
HAYASHI, Yutaka; (US only)
発明者: NAGATA, Takeshi; .
INUI, Hitoshi; .
NAKANISHI, Yasunori; .
HAYASHI, Yutaka;
代理人: YONETSU, Kiyoshi; c/o SHARP KABUSHIKI KAISHA, 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP)
優先権情報:
2011-223421 07.10.2011 JP
発明の名称: (EN) DEFECT REPAIR METHOD AND DEFECT REPAIR DEVICE FOR PHOTOVOLTAIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE RÉPARATION DE DÉFAUT ET DISPOSITIF DE RÉPARATION DE DÉFAUT DESTINÉS À UN ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光起電力素子の欠陥修復方法および欠陥修復装置
要約: front page image
(EN)Provided is a defect repair method in which, in the process of manufacturing a thin-film solar cell, locations at which a short-circuit may occur as a result of a defect caused by pin holes are insulated in advance and an electrical short-circuit is prevented irrespective of the size, number, and distribution of the pin holes, whereby the manufacturing yield can be improved and production efficiency can be increased. The defect repair method includes: a defect detection step for detecting pin holes (20) penetrating through two semiconductor layers (13), (14) before layering a second electrode layer (15) in a photovoltaic element (10) formed by sequentially stacking a light-transmitting first electrode layer (12), two semiconductor layers (13), (14), and a second electrode layer (15) on a light-transmitting insulating substrate (11); and a material application step for discharging an insulating material (41), using an inkjet head (40), to positions at which the pin holes (20) detected in the defect detection step are present.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de réparation de défaut permettant, au cours du processus de fabrication d'une cellule solaire en couches minces, d'isoler au préalable les emplacements où un court-circuit est susceptible de se produire en conséquence d'un défaut causé par des trous d'épingle et d'empêcher tout court-circuit électrique quels que soient la taille, le nombre et la distribution des trous d'épingle, ce qui permet de la sorte d'améliorer le rendement de fabrication et d'augmenter l'efficacité de la production. Le procédé de réparation de défaut inclut : une étape de détection de défaut permettant de détecter les trous d'épingle (20) pénétrant à travers deux couches semi-conductrices (13), (14) avant de disposer en couches une couche de seconde électrode (15) dans un élément photovoltaïque (10) formé par empilage séquentiel d'une couche de première électrode dotée d'une capacité de transmission de la lumière (12), de deux couches semi-conductrices (13), (14) et d'une couche de seconde électrode (15) sur un substrat isolant doté d'une capacité de transmission de la lumière (11) ; et une étape d'application de matériau permettant de décharger un matériau isolant (41), à l'aide d'une tête à jet d'encre (40), sur les emplacements au niveau desquels sont présents les trous d'épingle (20) détectés au cours de l'étape de détection de défaut.
(JA) 薄膜太陽電池の製造工程において、ピンホールのサイズ、個数および分布によらずに、ピンホールによる欠陥が原因となって短絡されうる箇所を予め絶縁して、電気的短絡を防止することにより、製造歩留まりを向上させ、生産効率の上げることができる欠陥修復方法を提供する。 欠陥修復方法は、透光性を有する絶縁基板(11)上に、透光性を有する第1電極層(12)、2つの半導体層(13),(14)および第2電極層(15)を順次積層して形成される光起電力素子(10)において、第2電極層(15)を積層する前に、2つの半導体層(13),(14)を貫通するピンホール(20)を検出する欠陥検出工程と、欠陥検出工程で検出されたピンホール(20)の存在位置に対して、インクジェットヘッド(40)を用いて絶縁材料(41)を吐出する材料塗布工程とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)