WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013051384) 位相シフトマスク、非対称パターンの形成方法、回折格子の製造方法および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051384    国際出願番号:    PCT/JP2012/073479
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 13.09.2012
IPC:
G03F 1/26 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAKUTA, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ONOZUKA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EBATA, Yoshisada [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASEGAWA, Norio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAKUTA, Kazuyuki; (JP).
ONOZUKA, Toshihiko; (JP).
MATSUI, Shigeru; (JP).
EBATA, Yoshisada; (JP).
HASEGAWA, Norio; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2011-222907 07.10.2011 JP
発明の名称: (EN) PHASE SHIFT MASK, ASYMMETRIC PATTERN FORMING METHOD, DIFFRACTION GRATING MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) MASQUE DE DÉPHASAGE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF ASYMÉTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN RÉSEAU DE DIFFRACTION ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 位相シフトマスク、非対称パターンの形成方法、回折格子の製造方法および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are an asymmetric pattern forming technique using a phase shift mask, and also a technique for manufacturing a diffraction grating and semiconductor device, whereby improved accuracy of the product and a shortening of manufacturing time can be achieved. A method of manufacturing a diffraction grating using a phase shift mask (30) (a light-blocking part and a light-transmissive part (a first light-transmissive part when there is no phase shift, a second light-transmissive part when there a phase shift) are disposed periodically), wherein a beam of light emitted from an illumination light source (10) is passed through a phase shift mask (30). The zeroth order beam and the +1 order beam generated by passing through this phase shift mask (30) are caused to interfere at the surface of an Si wafer (50). A photoresist (60) at the surface of this Si wafer (50) is thereby exposed, and a diffraction grating is thus formed having a cross-sectional shape of blazed form on the Si wafer (50).
(FR)La présente invention concerne une technique de formation d'un motif asymétrique à l'aide d'un masque de déphasage, et également une technique permettant de fabriquer un réseau de diffraction et un dispositif semi-conducteur, une précision améliorée du produit et un raccourcissement de la durée de fabrication pouvant être obtenus. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un réseau de diffraction à l'aide d'un masque de déphasage (30 (une partie bloquant la lumière et une partie transparente à la lumière (une première partie transparente à la lumière en cas d'absence de déphasage, une seconde partie transparente à la lumière en cas de déphasage) sont disposées périodiquement), un faisceau de lumière émis par une source de lumière d'éclairage (10) traversant un masque de déphasage (30). Le faisceau d'ordre zéro et le faisceau d'ordre +1 générés par la traversée de ce masque de déphasage (30) sont amenés à interférer à la surface d'une plaquette en Si (50). Une photorésine (60) à la surface de cette plaquette en Si (50) est de ce fait exposée, et un réseau de diffraction est ainsi formé, présentant une coupe transversale de forme blazée sur la plaquette en Si (50).
(JA) 製品の精度向上と製作時間の短縮が可能な、位相シフトマスクを用いた非対称パターンの形成技術、さらには回折格子、半導体装置の製造技術である。位相シフトマスク30(遮光部と透過部(位相シフトがない第1の透過部、位相シフトがある第2の透過部)が周期的に配置)を用いた回折格子の製造方法において、照明光源10から放出された光を、位相シフトマスク30を透過させ、この位相シフトマスク30を透過させることにより生じる0次光と+1次光とをSiウエハ50の表面で干渉させて、このSiウエハ50の表面のフォトレジスト60を露光し、Siウエハ50上にブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)