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1. (WO2013051383) フォトレジストパターン形成方法及びエッチングマスク形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051383    国際出願番号:    PCT/JP2012/073462
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 13.09.2012
IPC:
G03F 7/38 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIMURA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIMURA, Satoru; (JP)
代理人: KANEMOTO, Tetsuo; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
優先権情報:
2011-221087 05.10.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN AND METHOD FOR FORMING ETCHING MASK
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MASQUE DE GRAVURE
(JA) フォトレジストパターン形成方法及びエッチングマスク形成方法
要約: front page image
(EN)This method for forming a photoresist pattern comprises: a step of forming a photoresist film on a substrate; a step of exposing the photoresist film to an alkaline chemical; a step of exposing the photoresist film, which has been exposed to the chemical, to light; and a step of developing the light-exposed photoresist film. In the step of chemical exposure, the photoresist film is exposed to a gas or vapor of the chemical. In the step of development, the light-exposed photoresist film is developed using an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having a concentration higher than 2.38% by weight. The photoresist film is formed from a chemical multiplier type photoresist liquid. The chemical contains an amine compound or a pyrrolidone compound.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un motif de résine photosensible, comportant : une étape consistant à former un film de résine photosensible sur un substrat; une étape consistant à exposer le film de résine photosensible à un produit chimique alcalin; une étape consistant à exposer le film de résine photosensible, qui a été exposé au produit chimique, à une lumière; et une étape consistant à développer le film de résine photosensible exposé à la lumière. Lors de l'étape d'exposition au produit chimique, le film de résine photosensible est exposé à un gaz ou une vapeur du produit chimique. Lors de l'étape de développement, le film de résine photosensible exposé à la lumière est développé à l'aide d'une solution aqueuse d'hydroxyde de tétraméthylammonium présentant une concentration supérieure à 2,38% en masse. Le film de résine photosensible est formé à partir d'une résine photosensible liquide de type multiplicateur chimique. Le produit chimique contient un composé aminé ou un composé pyrrolidone.
(JA) フォトレジストパターン形成方法は、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含む。前記曝す工程において、前記フォトレジスト膜が前記薬剤のガス又は蒸気に曝される。前記現像する工程において、2.38重量%よりも高い濃度を有する水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて露光された前記フォトレジスト膜が現像される。前記フォトレジスト膜が化学倍増型フォトレジスト液から形成される。前記薬剤が、アミン系化合物又はピロリドン系化合物を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)