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1. (WO2013051362) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051362    国際出願番号:    PCT/JP2012/072646
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 05.09.2012
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: Tokyo Electron Limited [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AKASAKA, Yasushi [JP/--]; (TW) (米国のみ).
AKIYAMA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGASHIJIMA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AKASAKA, Yasushi; (TW).
AKIYAMA, Koji; (JP).
HIGASHIJIMA, Hirokazu; (JP)
代理人: ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2011-220257 04.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device manufacturing method which has: a step of forming a dielectric material film on a semiconductor substrate; a step of heat treating the dielectric material film; a step of forming an electrode on a part of the dielectric material film; a step of radiating an ionized gas cluster to a dielectric material film part where the electrode is not formed; and a step of removing, by means of wet etching, the dielectric material film in the region irradiated with the ionized gas cluster, after the irradiation step.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur qui comprend : une étape de formation d'un film de matériau diélectrique sur un substrat semi-conducteur ; une étape de traitement thermique du film de matériau diélectrique ; une étape de formation d'une électrode sur une partie du film de matériau diélectrique ; une étape d'exposition à un agrégat de gaz ionisé d'une partie du film de matériau diélectrique où l'électrode n'est pas formée ; et une étape d'élimination, au moyen d'une gravure humide, du film de matériau diélectrique dans la région exposée à l'agrégat de gaz ionisé, après l'étape d'exposition.
(JA) 半導体基板上に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜を熱処理する工程と、前記誘電体膜上の一部に電極を形成する工程と、前記電極の形成されていない前記誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する工程と、前記照射工程の後、ウェットエッチングにより、前記イオン化したガスクラスターの照射された領域における前記誘電体膜を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)