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1. (WO2013051343) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051343    国際出願番号:    PCT/JP2012/070739
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 15.08.2012
IPC:
H01L 21/337 (2006.01), H01L 27/098 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAYASHI, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAYASHI, Hideki; (JP)
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-218877 03.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)This silicon carbide semiconductor device (10) has: a substrate (11); and a silicon carbide layer (4) that is provided on the substrate (11) and has a primary surface (13A) and a thickness direction that intersects with the primary surface (13A). The silicon carbide layer (4) includes: a channel layer (13); a source region (15); a drain region (17); and a gate region (16) that is between the source region (15) and the drain region (17) and extends in a manner so as to protrude along the direction of thickness from the primary surface (13A) into the channel layer (13). The dimensions of the gate region (16) in the opposing direction become smaller with separation from the primary surface (13A). As a result, the resistance at the channel portion in the vicinity of the gate region (16) is reduced, and so it is possible to provide a silicon carbide semiconductor device (10) having a characteristic on resistance that is lower than has been conventional.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (10) en carbure de silicium, lequel comporte un substrat (11) ainsi qu'une couche de carbure de silicium (4) située sur le substrat (11) et possédant une surface principale (13A) et une direction d'épaisseur croisant cette surface principale (13A). La couche de carbure de silicium (4) contient une couche canal (13), une région source (15), une région drain (17), ainsi qu'une région grille (16), située entre la région source (15) et la région drain (17) et s'étendant en suivant la direction de l'épaisseur à partir de la surface principale (13A) dans la couche canal (13) de manière à faire saillie. La dimension de la région grille (16) s'amenuise au fur et à mesure qu'elle s'éloigne de la surface principale (13A) en suivant une direction opposée. Ainsi, la résistance de la partie canal voisine de la région grille (16) est réduite et on obtient un dispositif à semi-conducteurs (10) en carbure de silicium dans lequel la résistance à l'état passant spécifique est réduite par rapport à l'art antérieur.
(JA) 炭化珪素半導体装置(10)は、基板(11)と、基板(11)上に設けられ、主表面(13A)と、主表面(13A)と交差する厚さ方向とを有する炭化珪素層(4)とを有している。炭化珪素層(4)は、チャネル層(13)と、ソース領域(15)と、ドレイン領域(17)と、ソース領域(15)とドレイン領域(17)との間において、厚さ方向に沿って主表面(13A)からチャネル層(13)中に突き出るように延びるゲート領域(16)とを含んでいる。ゲート領域(16)の対向方向に沿った寸法は、主表面(13A)から離れるにつれて小さくなっている。これにより、ゲート領域(16)近傍のチャネル部分の抵抗を低減することにより、従来よりも特性オン抵抗が低い炭化珪素半導体装置(10)を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)