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1. (WO2013051329) 太陽電池の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051329    国際出願番号:    PCT/JP2012/069445
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 31.07.2012
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
出願人: J.E.T. CO., LTD. [JP/JP]; 6078, Aza Kanayama, Oaza Shinjo, Satosho-cho, Asakuchi-gun, Okayama 7190302 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUMAGAI Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUMAGAI Akira; (JP)
代理人: YOSHIDA Tadanori; 304 La Tour Shinjuku, 15-1, Nishi-shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
優先権情報:
2011-223205 07.10.2011 JP
2012-048340 05.03.2012 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a solar cell in which a texture can be formed in a uniform manner on the surface of a silicon substrate. This invention is characterized in being provided with: a step for immersing the silicon substrate (2) in a first aqueous solution containing hydrofluoric acid, and removing the natural oxide film on the surface of the silicon substrate (2); a step for immersing the silicon substrate (2) from which the natural oxide film has been removed into a second solution containing metal ions, and causing the metal ions to adhere to the surface of the silicon substrate (2) by non-electrolytic plating; and a step for immersing the silicon substrate (2) to which the metal ions have been caused to adhere in a third solution containing hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, and forming a porous layer (3) on the surface of the silicon substrate (2) by a catalytic reaction of the metal ions.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire permettant de former une texture de manière uniforme sur la surface d'un substrat de silicium. Le procédé de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : immerger le substrat de silicium (2) dans une première solution aqueuse contenant de l'acide fluorhydrique, et éliminer le film d'oxyde naturel formé sur la surface du substrat de silicium (2) ; immerger le substrat de silicium (2) dont le film d'oxyde naturel a été éliminé dans une deuxième solution contenant des ions métalliques, et provoquer l'adhésion des ions métalliques sur la surface du substrat de silicium (2) par dépôt non électrolytique ; et immerger le substrat de silicium (2) sur lequel les ions métalliques ont été adhérés dans une troisième solution contenant de l'acide fluorhydrique et du peroxyde d'hydrogène, et former une couche poreuse (3) sur la surface du substrat de silicium (2) par réaction catalytique des ions métalliques.
(JA)シリコン基板表面にテクスチャを均一に形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。フッ化水素酸を含有する第1の水溶液に前記シリコン基板(2)を浸漬し、前記シリコン基板(2)表面の自然酸化膜を除去するステップと、前記金属イオンを含有する第2の水溶液に、前記自然酸化膜を除去した前記シリコン基板(2)を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板(2)表面に付着させるステップと、フッ化水素酸と過酸化水素水を含有する第3の水溶液に、前記金属イオンを付着させた前記シリコン基板(2)を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板(2)表面に多孔質層(3)を形成するステップとを備えることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)