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1. (WO2013051326) 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051326    国際出願番号:    PCT/JP2012/069287
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 30.07.2012
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-Cho, Abeno-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WENG Yufeng; (米国のみ)
発明者: WENG Yufeng;
代理人: SANO Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
優先権情報:
2011-220800 05.10.2011 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting element (1) is provided with: a substrate (11); a nitride semiconductor laminate section (12) laminated on the substrate (11); a current diffusion layer (14) that is provided on the nitride semiconductor laminate section (12); a first protection film (15) that is provided on the current diffusion layer (14); and a first electrode (17A). The nitride semiconductor laminate section (12) has: a first conductivity-type nitride semiconductor layer (122) that is provided on the substrate (11); an active layer (123) that is provided on the first conductivity-type nitride semiconductor layer (122); and a second conductivity-type nitride semiconductor layer (124) that is provided on the active layer (123). The first electrode (17A) is electrically connected to the first conductivity-type nitride semiconductor layer (122). Furthermore, a part of the first electrode (17A) is formed above the second conductivity-type nitride semiconductor layer (124) with the first protection film (15) therebetween.
(FR)La présente invention porte sur un élément électroluminescent semi-conducteur nitrure (1) qui comporte : un substrat (11) ; une section de stratifié semi-conducteur nitrure (12) stratifiée sur le substrat (11) ; une couche de diffusion de courant (14) qui est disposée sur la section de stratifié semi-conducteur nitrure (12) ; un premier film de protection (15) qui est disposé sur la couche de diffusion de courant (14) ; et une première électrode (17A). La section de stratifié semi-conducteur nitrure (12) a : une première couche de semi-conducteur nitrure d'un premier type de conductivité (122) qui est disposée sur le substrat (11) ; une couche active (123) qui est disposée sur la couche de semi-conducteur nitrure du premier type de conductivité (122) ; et une couche de semi-conducteur nitrure d'un second type de conductivité (124) qui est disposée sur la couche active (123). La première électrode (17A) est électriquement reliée à la couche de semi-conducteur nitrure du premier type de conductivité (122). De plus, une partie de la première électrode (17A) est formée au-dessus de la couche de semi-conducteur nitrure du second type de conductivité (124), le premier film de protection (15) étant disposé entre celles-ci.
(JA) 窒化物半導体発光素子(1)は、基板(11)と、基板(11)の上に積層される窒化物半導体積層部(12)と、窒化物半導体積層部(12)の上に設けられる電流拡散層(14)と、電流拡散層(14)の上に設けられる第1保護膜(15)と、第1電極(17A)と、を備える。窒化物半導体積層部(12)は、基板(11)の上に設けられる第1導電型窒化物半導体層(122)と、第1導電型窒化物半導体層(122)の上に設けられる活性層(123)と、活性層(123)の上に設けられる第2導電型窒化物半導体層(124)と、を有する。第1電極(17A)は、第1導電型窒化物半導体層(122)と電気的に接続される。また、第1電極(17A)の一部が、第1保護膜(15)を介して第2導電型窒化物半導体層(124)の上部に形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)