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1. (WO2013051267) 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051267    国際出願番号:    PCT/JP2012/006368
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 03.10.2012
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: WEI, Zhiqiang; .
TAKAGI, Takeshi; .
MITANI, Satoru; .
MURAOKA, Shunsaku; .
KATAYAMA, Koji;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2011-222247 06.10.2011 JP
発明の名称: (EN) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE NON VOLATIL ET DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL
(JA) 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置
要約: front page image
(EN)A nonvolatile storage device is provided with a first electrode (103), a second electrode (106), and a variable-resistance layer (104). The variable-resistance layer (104) comprises: a first oxide layer (104a) comprising a first metallic oxide; a second oxide layer (104b) that is disposed between the first oxide layer (104a) and the second electrode (106) in contact therewith, that comprises a second metallic oxide, and that has a lower degree of oxygen deficiency compared to the first oxide layer (104a); and a local section (105) that is disposed within the first oxide layer (104a) and the second oxide layer (104b) in contact with the second electrode (106), that is not in contact with the first electrode (103), the degree of oxygen deficiency of which is high compared to that of the second oxide layer (104b), and the degree of oxygen deficiency of which is different from that of the first oxide layer (104a).
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage non volatil qui comporte une première électrode (103), une seconde électrode (106) et une couche à résistance variable (104). La couche à résistance variable (104) comprend : une première couche d'oxyde (104a) comprenant un premier oxyde métallique ; une seconde couche d'oxyde (104b) qui est disposée entre la première couche d'oxyde (104a) et la seconde électrode (106) en contact avec celles-ci, qui comprend un second oxyde métallique et qui a un degré de déficience en oxygène inférieur à celui de la première couche d'oxyde (104a) ; et une section locale (105) qui est disposée à l'intérieur de la première couche d'oxyde (104a) et de la seconde couche d'oxyde (104b) en contact avec la seconde électrode (106), qui n'est pas en contact avec la première électrode (103), dont le degré de déficience en oxygène est élevé par comparaison à celui de la seconde couche d'oxyde (104b), et dont le degré de déficience en oxygène est différent de celui de la première couche d'oxyde (104a).
(JA) 不揮発性記憶装置は、第1の電極(103)と第2の電極(106)と抵抗変化層(104)を備え、抵抗変化層(104)は、第1の金属の酸化物を含む第1の酸化物層(104a)と、第1の酸化物層(104a)と第2の電極(106)の間に接して配置され、第2の金属の酸化物を含み、第1の酸化物層(104a)に比べて酸素不足度が小さい第2の酸化物層(104b)と、第1の酸化物層(104a)及び第2の酸化物層(104b)内に第2の電極(106)と接して配置され、第1の電極(103)に接しておらず、第2の酸化物層(104b)に比べて酸素不足度が大きく、第1の酸化物層(104a)と酸素不足度が異なる局所領域(105)とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)