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1. (WO2013051175) 半導体集積回路装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051175    国際出願番号:    PCT/JP2012/004334
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 04.07.2012
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUOKA, Daisuke; (米国のみ)
発明者: MATSUOKA, Daisuke;
代理人: MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2011-222253 06.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路装置
要約: front page image
(EN)An ESD protection circuit includes a resistive element (11), a capacitive element, a protective element (13), and a controller (14). The resistive element (11), the protective element (13), and the controller (14) are formed in an element formation layer (10). The capacitive element is constituted at least in part by interwire capacitance (100) formed in a plurality of wire layers (20). The capacitance formation region formed by the interwire capacitance (100) at least partially overlaps in plan view the element formation region in which the resistive element (11), the protective element (13), and the controller (14) are formed.
(FR)Cette invention concerne un circuit de protection contre les décharges électrostatiques, comprenant un élément résistif (11), un élément capacitif, un élément de protection (13) et un contrôleur (14). L'élément résistif (11), l'élément de protection (13) et le contrôleur (14) sont formés dans une couche de formation d'éléments (10). L'élément capacitif est au moins partiellement constitué de la capacité entre conducteurs (100) formée dans une pluralité de couches de conducteurs (20). Vue en plan, la zone de formation de capacité formée par la capacité entre conducteurs (100) chevauche au moins partiellement la zone de formation d'éléments dans laquelle sont formés l'élément résistif (11), l'élément de protection (13) et le contrôleur (14).
(JA) ESD保護回路は、抵抗素子(11)と、容量素子と、保護素子(13)と、制御部(14)とを含んでいる。抵抗素子(11),保護素子(13),および制御部(14)は、素子形成層(10)に形成されている。容量素子の少なくとも一部は、複数の配線層(20)に形成された配線間容量(100)によって構成されている。配線間容量(100)が形成された容量形成領域の少なくとも一部は、平面視において抵抗素子(11),保護素子(13),および制御部(14)が形成された素子形成領域の少なくとも一部に重複している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)