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1. (WO2013051170) 半導体装置、電力変換器および電力変換器の制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051170    国際出願番号:    PCT/JP2012/002628
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 16.04.2012
IPC:
H03K 17/16 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H03K 17/12 (2006.01), H03K 17/695 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAYASHI, Masashi; (米国のみ).
OGAWA, Masanori; (米国のみ)
発明者: HAYASHI, Masashi; .
OGAWA, Masanori;
代理人: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2011-219103 03.10.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD FOR CONTROLLING POWER CONVERTER
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, CONVERTISSEUR DE PUISSANCE, ET PROCÉDÉ POUR LA COMMANDE DE CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置、電力変換器および電力変換器の制御方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a semiconductor element (200), which is provided with a first metal-insulator-semiconductor field effect transistor (200a), and a second metal-insulator-semiconductor field effect transistor (200b) connected parallel to the first metal-insulator-semiconductor field effect transistor; and a control unit, which controls operations of the semiconductor element. The control unit controls the semiconductor element such that, in forward direction mode, a current flows in the forward direction in the first and the second metal-insulator-semiconductor field effect transistors, and controls the semiconductor element such that, in reverse direction mode, a current flows in the reverse direction in the first metal-insulator-semiconductor field effect transistor, and a current does not flow in the second metal-insulator-semiconductor field effect transistor.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs équipé : d'un élément semi-conducteur (200), qui est muni d'un premier transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur (200a), et d'un second transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur (200b) connecté en parallèle au premier transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur ; et d'une unité de commande, qui commande les opérations de l'élément semi-conducteur. L'unité de commande contrôle l'élément semi-conducteur de sorte que, dans un mode sens direct, un courant circule dans le sens direct dans les premier et second transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur, et contrôle l'élément semi-conducteur de sorte que, dans le sens inverse, un courant circule dans le sens inverse dans le premier transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur, et qu'un courant ne circule pas dans le second transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur.
(JA) 本願に開示された半導体装置は、第1の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ200aと、第1の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタと並列に接続された第2の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ200bとを備える半導体素子200、及び半導体素子の動作を制御する制御部を備える半導体装置であって、制御部は、順方向モードにおいて、第1及び第2の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタに、順方向に電流が流れるように、半導体素子を制御し、逆方向モードにおいて、第1の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタに逆方向に電流が流れ、第2の金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタに電流が流れないように半導体素子を制御する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)