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1. (WO2013051163) GaN系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051163    国際出願番号:    PCT/JP2011/079636
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 21.12.2011
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SEKI, Yuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEMATSU, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUBARA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIMURA, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SATOH, Issei; (JP).
SEKI, Yuki; (JP).
UEMATSU, Koji; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
MATSUBARA, Hideki; (JP).
FUJIWARA, Shinsuke; (JP).
YOSHIMURA, Masashi; (JP)
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-222998 07.10.2011 JP
発明の名称: (EN) GAN FILM MANUFACTURING METHOD AND COMPOSITE SUBSTRATE USED IN SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM DE GAN ET SUBSTRAT COMPOSITE UTILISÉ DANS LEDIT PROCÉDÉ
(JA) GaN系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
要約: front page image
(EN)This GaN film manufacturing method includes: a step of preparing a composite substrate (10), which includes a supporting substrate (11) that dissolves in a hydrofluoric acid, and a single crystal film (13) disposed on the main surface (11m) side of the supporting substrate (11), and has a thermal expansion coefficient in the main surface (11m) of the supporting substrate (11) more than 0.8 times but less than 1.2 times a thermal expansion coefficient of a GaN crystal; a step of forming a GaN film (20) on the main surface (13m) of the single crystal film (13) disposed on the main surface (11m) side of the supporting substrate (11); and a step of removing the supporting substrate (11) by dissolving the supporting substrate in the hydrofluoric acid. Consequently, the GaN film manufacturing method whereby the GaN film having a large main surface area, small warpage, and excellent crystal characteristics is efficiently obtained, and the composite substrate used in the method are provided.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film de GaN qui inclut : une étape de préparation d'un substrat composite (10), qui inclut un substrat de support (11) qui se dissout dans un acide fluorhydrique, et un film à cristal unique (13) disposé sur le côté de surface principale (11m) du substrat de support (11), et possède un coefficient de dilatation thermique dans la surface principale (11m) du substrat de support (11) plus de 0,8 fois mais moins de 1,2 fois un coefficient de dilatation thermique d'un cristal de GaN ; une étape de formation d'un film de GaN (20) sur la surface principale (13m) du film de cristal unique (13) disposé sur le côté de la surface principale (11m) du substrat de support (11); et une étape d'élimination du substrat de support (11) par dissolution du substrat de support dans l'acide fluorhydrique. Par conséquent, le procédé de fabrication du film de GaN, par lequel le film de GaN ayant une grande aire de surface principale, une petite déformation et d'excellentes caractéristiques de cristal est obtenu efficacement, et le substrat composite utilisé dans le procédé sont fournis.
(JA) 本GaN系膜の製造方法は、フッ化水素酸に溶解する支持基板(11)と、支持基板(11)の主面(11m)側に配置されている単結晶膜(13)と、を含み、支持基板(11)の主面(11m)内の熱膨張係数が、GaN結晶の熱膨張係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい複合基板(10)を準備する工程と、支持基板(11)の主面(11m)側に配置されている単結晶膜(13)の主面(13m)上にGaN系膜(20)を成膜する工程と、支持基板(11)を、フッ化水素酸に溶解することにより、除去する工程と、を含む。これにより、主面の面積が大きく反りが小さく結晶性が良好なGaN系膜が効率よく得られるGaN系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)