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1. (WO2013051099) 試験用治具及び半導体装置の試験方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/051099    国際出願番号:    PCT/JP2011/072823
国際公開日: 11.04.2013 国際出願日: 04.10.2011
IPC:
G01R 31/26 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMADA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMADA, Hiroshi; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE, Yamanishi Bldg., 4F, 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome,Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) TESTING JIG AND SEMICONDUCTOR DEVICE TEST METHOD
(FR) GABARIT D'ESSAI ET PROCÉDÉ D'ESSAI DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 試験用治具及び半導体装置の試験方法
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a testing jig, which is applicable to a rapid temperature change of a semiconductor device, and is capable of performing a test, while eliminating breakage of the semiconductor device, and a semiconductor device test method wherein the testing jig is used. [Solution] A testing jig (20) has: a package-mounted plate (23) having a semiconductor device (10) placed thereon; a plurality of through holes (23b), which are provided in the package-mounted plate (23); a socket section (22) wherein a plurality of probe pins (30) are disposed in contact with electrodes (10b) of the semiconductor device (10) via through holes (23b); and a gas jetting section that jets a gas to the package-mounted plate (23) via the socket section (22). The semiconductor device (10) is tested, while jetting the gas toward the package-mounted plate (23) from the gas jetting section.
(FR)La présente invention vise à fournir un gabarit d'essai, qui est applicable à un changement rapide de température d'un dispositif semi-conducteur et est apte à réaliser un essai, tout en éliminant une rupture du dispositif semi-conducteur, et un procédé d'essai de dispositif semi-conducteur dans lequel le gabarit d'essai est utilisé. A cet effet, la présente invention porte sur un gabarit d'essai (20) qui a : une plaque montée sur boîtier (23) ayant un dispositif semi-conducteur (10) placé sur celle-ci ; une pluralité de trous traversants (23b), qui sont répartis sur la plaque montée sur boîtier (23) ; une section de prise (22) dans laquelle une pluralité de broches de sonde (30) sont réparties en contact avec des électrodes (10b) du dispositif semi-conducteur (10) par l'intermédiaire de trous traversants (23b) ; une section d'éjection de gaz qui éjecte un gaz vers la plaque montée sur boîtier (23) par l'intermédiaire de la section de prise (22). Le dispositif semi-conducteur (10) est testé, tout en éjectant le gaz vers la plaque montée sur boîtier (23) depuis la section d'éjection de gaz.
(JA)【課題】半導体装置の急激な温度変化に対応でき、半導体装置の破壊を防止しつつ試験を行うことができる試験用治具、及びその試験用治具を用いた半導体装置の試験方法を提供する。 【解決手段】試験用治具20は、半導体装置10を載置するパッケージ搭載プレート23と、パッケージ搭載プレート23に設けられた複数の貫通孔23bと、貫通孔23bを介して半導体装置10の電極10bに接触する複数のプローブピン30が配置されるソケット部22と、ソケット部22を介してパッケージ搭載プレート23にガスを噴射するガス噴射部とを有する。ガス噴射部からパッケージ搭載プレート23に向けてガスを噴射しながら、半導体装置10の試験を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)